Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 27A 58mOhm 20nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF (транзистор) Код товару: 84275
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 150 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1350/21 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC | на замовлення 3973 шт: термін постачання 211-220 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF(транзистор) Код товару: 84276
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5220 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5220TR2 Код товару: 99493
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 200 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 99,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1380/20 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5220TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 99.9mOhms 20nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99.9mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250D Код товару: 184524
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5250DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 39nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier | Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1400 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | International Rectifier | N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TR Код товару: 99494
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Uds,V: 25 V Idd,A: 45 A Rds(on), Ohm: 1,15 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7174/110 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 25V 100A 1.15mOhm 52nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | на замовлення 7389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm | на замовлення 3623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5250TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 7nC | на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5255TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TR2 Код товару: 99495
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN CC Uds,V: 30 V Idd,A: 40 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7200/120 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 18932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | International Rectifier | N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | на замовлення 7829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC | на замовлення 20124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TR2PBF Код товару: 60293
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFH5301TR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 22998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC | на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm | на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 10106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm | на замовлення 11732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFH5302 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTR2PBF | International Rectifier | HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFH5302DTR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |