Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7107TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7107TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7107TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 14A/75A 8PQFN Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7110TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH7110TRPBF - IRFH7110 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg | на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | IRFH7110TRPBF Транзисторы | на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Power dissipation: 3.6W Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7182TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 195W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7184TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7184TRPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | на замовлення 1076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF Код товару: 110203
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 123A 5.2 mOhm Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7185TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 19A QFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7187TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7188TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 132W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7190ATRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 8-TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7190TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: FastIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: FastIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET | на замовлення 3222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | на замовлення 6493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A Power dissipation: 104W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 3134 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 99 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7440TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 526000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7446TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A Power dissipation: 78W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 65nC On-state resistance: 3.3mΩ Trade name: StrongIRFET Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 3548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 6868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 68A PQFN Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 41A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|