Продукція > IRF

MOSFETs MOSFT 25V 100A 1.15mOhm 52nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	81.12 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	59.14 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

361+	39.17 грн
376+	37.60 грн
500+	36.25 грн
1000+	33.81 грн
2500+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 361 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.20 грн
10+	87.61 грн
50+	65.92 грн
100+	55.27 грн
500+	43.72 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	65.76 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5250TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	194.75 грн
114+	124.19 грн
123+	114.78 грн
200+	81.65 грн
500+	71.40 грн
1000+	57.90 грн
2000+	54.67 грн

Мінімальне замовлення: 73 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7174 pF @ 13 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	58.86 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5250TRPBF

MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5255TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5255TRPBF

International Rectifier HiRel Products

Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A 8PQFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5255TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	60.96 грн
1000+	56.22 грн

Мінімальне замовлення: 579 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5255TRPBF

MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 7nC

на замовлення 3540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5255TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 417 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5255TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R

на замовлення 2537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	60.96 грн
1000+	56.22 грн

Мінімальне замовлення: 579 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TR2
Код товару: 99495

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN CC
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7200/120
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	31.00 грн
10+	30.30 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TR2PBF

MOSFET MOSFT 30V 100A 1.4mOhm mx 50nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V

на замовлення 7358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.17 грн
10+	78.40 грн
50+	58.89 грн
100+	49.36 грн
500+	38.98 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 35881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	157.22 грн
10+	106.57 грн
25+	105.52 грн
50+	78.28 грн
100+	67.11 грн
250+	63.78 грн
500+	51.86 грн
1000+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

N-Channel 30V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

MOSFETs 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC

на замовлення 19029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm

на замовлення 3768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	58.48 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	117.40 грн
126+	112.15 грн
250+	107.66 грн
500+	100.06 грн
1000+	89.63 грн
2500+	83.49 грн

Мінімальне замовлення: 121 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm

на замовлення 3768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5300TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 35881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

90+	157.22 грн
133+	106.57 грн
134+	105.52 грн
174+	78.28 грн
188+	67.11 грн
250+	63.78 грн
500+	51.86 грн
1000+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 90 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TR2PBF
Код товару: 60293

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TR2PBF

HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 29A, 2.5 mOhm,VQFN-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm

на замовлення 11732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.30 грн
10+	104.20 грн
100+	68.66 грн
500+	54.19 грн
1000+	45.85 грн
2000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	18.08 грн
43+	17.53 грн
100+	16.64 грн
250+	15.16 грн
500+	14.32 грн
1000+	14.08 грн
3000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 42 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC

на замовлення 4987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	147.30 грн
136+	104.20 грн
206+	68.66 грн
500+	54.19 грн
1000+	45.85 грн
2000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 96 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1850 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm

на замовлення 11732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5114 pF @ 15 V

на замовлення 3796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.35 грн
10+	68.64 грн
50+	51.33 грн
100+	42.92 грн
500+	33.71 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

806+	17.53 грн
818+	17.25 грн
832+	16.98 грн
845+	16.11 грн
1000+	14.67 грн
3000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 806 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTR2PBF

HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TR2PBF

HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	61.31 грн
233+	60.70 грн
281+	50.30 грн
284+	48.02 грн
500+	34.27 грн

Мінімальне замовлення: 231 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.72 грн
10+	69.94 грн
50+	52.34 грн
100+	43.76 грн
500+	34.36 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	50.09 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	70.93 грн
553+	63.83 грн
1000+	58.88 грн

Мінімальне замовлення: 498 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	50.06 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

295+	47.89 грн
355+	39.80 грн

Мінімальне замовлення: 295 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.17 грн
13+	61.31 грн
25+	60.70 грн
100+	48.51 грн
250+	44.46 грн
500+	32.90 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5302TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5303TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5303TRPBF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TR2PBF

Description: INFINEON - IRFH5304TR2PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 79
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	73.10 грн
304+	46.57 грн
500+	39.89 грн
1000+	36.47 грн
2000+	31.58 грн

Мінімальне замовлення: 194 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V

на замовлення 10924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

555+	37.36 грн

Мінімальне замовлення: 555 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Infineon

MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Транзистори

на замовлення 4 шт:

термін постачання 4-5 дні (днів)

4+	195.00 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 14924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

771+	45.78 грн
1000+	42.23 грн
10000+	37.64 грн

Мінімальне замовлення: 771 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH5304TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH5306TR2PBF

MOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5306TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5306TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5306TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5406

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5406TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5406TRPBF

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH5406TRPBF