Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFH7191TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7191TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7194TRPBF | Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7194TRPBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7194TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: FastIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7194TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7194TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0137 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: FastIRFET HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.6 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 6241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Power dissipation: 104W Gate charge: 92nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 85A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel On-state resistance: 2.4mΩ Trade name: StrongIRFET | на замовлення 3069 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4574 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7440TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 6241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 159A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7440TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 1136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 11720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 526000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7446TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7545 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 54A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 83W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 3548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 6868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 85A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7545TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 5200 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7545TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 68A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 68A 8-Pin QFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7787TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7787TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 68 A, 6600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7882TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3186 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7885TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2311 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7911TR Код товару: 99497
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN5*6 Напруга сток-витік Uds, В: 30 В Струм стоку Idd, А: 10/23 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8,6/3,0 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1060/4450/8.3/34 Монтаж: SMD | у наявності: 20 шт
|
| ||||||||||
| IRFH7911TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 18-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/28A 18-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 18-PowerVQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC | на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7911TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A/28A 18-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7911TRPBF | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFH7914TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7914TR2PBF Код товару: 56503
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFH7914TRPBF | International Rectifier | Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 5729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7914TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7914TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0075 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 14180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC | на замовлення 5362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier | Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7923 | IOR | 09+ | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7923TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 33A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7923TRPBF | IR | 0822+ QFN-8 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7932PBF | Infineon / IR | MOSFET SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7932TR | International Rectifier | N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFH7932TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH7932TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 30 V, 25 A, 3300 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.4W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |