Продукція > FDC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 89137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
744+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 744 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.64 грн
10000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302P_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 117577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.67 грн
500+14.66 грн
1500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 28176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
11+29.14 грн
100+16.98 грн
500+13.25 грн
1000+11.67 грн
3000+9.11 грн
6000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.61 грн
6000+14.17 грн
9000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 157625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.32 грн
100+18.89 грн
500+13.50 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 117577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.98 грн
50+31.73 грн
100+21.67 грн
500+14.66 грн
1500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 15673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.04 грн
10+33.18 грн
100+18.57 грн
500+14.22 грн
1000+12.77 грн
3000+10.15 грн
6000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.62 грн
6000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.65 грн
6000+14.21 грн
9000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.50 грн
6000+10.14 грн
9000+9.67 грн
15000+8.57 грн
21000+8.27 грн
30000+7.98 грн
75000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N/303FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 75695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
849+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
на замовлення 11432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 76937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6304P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+38.90 грн
100+21.81 грн
500+16.91 грн
1000+15.19 грн
3000+11.80 грн
6000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.31 грн
25+64.01 грн
100+61.45 грн
250+56.63 грн
500+54.12 грн
1000+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.22 грн
17+45.99 грн
100+31.83 грн
500+24.06 грн
1000+20.07 грн
3000+15.76 грн
6000+14.01 грн
9000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.47 грн
27+28.65 грн
100+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.57 грн
100+23.77 грн
500+17.13 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.03 грн
500+19.97 грн
1500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.99 грн
446+31.83 грн
569+24.95 грн
1000+21.68 грн
3000+16.42 грн
6000+14.01 грн
9000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+64.01 грн
223+63.72 грн
250+63.43 грн
500+60.88 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.05 грн
6000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
6000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
6000+12.35 грн
9000+11.91 грн
15000+11.10 грн
21000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 19035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.33 грн
50+43.17 грн
100+28.03 грн
500+19.97 грн
1500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 128mΩ
Gate charge: 5nC
Gate-source voltage: ±8V
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
10+45.20 грн
11+39.30 грн
50+28.09 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.95 грн
6000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N/305FAIR
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 16489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.38 грн
100+22.30 грн
500+17.12 грн
1000+14.98 грн
3000+12.63 грн
6000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.50 грн
100+23.69 грн
500+17.07 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.21 грн
500+18.55 грн
1500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 15459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+38.58 грн
100+21.81 грн
500+16.78 грн
1000+14.98 грн
3000+12.63 грн
6000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.70 грн
6000+13.02 грн
9000+12.44 грн
15000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.35 грн
50+39.95 грн
100+25.21 грн
500+18.55 грн
1500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
на замовлення 10502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
10000+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.7A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 28908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6308P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308PON SemiconductorFDC6308P
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
10000+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6308P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC630CON SemiconductorFDC630C
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2738+12.95 грн
10000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 2738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC630CFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 2664 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC630CONSEMIDescription: ONSEMI - FDC630C - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONS/FAI2 P-Channel (Dual), 20V, 2.2A, SSOT-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.52 грн
6000+17.54 грн
12000+17.36 грн
18000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.62 грн
20+41.88 грн
100+29.88 грн
500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.26 грн
22+35.15 грн
100+24.29 грн
500+22.10 грн
1000+19.98 грн
3000+18.12 грн
6000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1349+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310Ponsemi / FairchildMOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+33.82 грн
100+17.26 грн
500+15.74 грн
1000+15.12 грн
3000+14.01 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+38.74 грн
100+20.17 грн
500+16.75 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.88 грн
500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
549+25.86 грн
621+22.83 грн
628+22.60 грн
685+19.97 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 549 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+45.89 грн
100+26.65 грн
500+21.68 грн
1000+19.61 грн
3000+17.12 грн
6000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+47.12 грн
100+30.53 грн
500+22.54 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.18 грн
500+24.16 грн
1500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.49 грн
500+28.37 грн
540+26.25 грн
546+25.06 грн
578+21.93 грн
1000+20.91 грн
3000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312POn SemiconductorMOSFET SSOT-6 P-CH DUAL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.67 грн
6000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
50+50.42 грн
100+33.18 грн
500+24.16 грн
1500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.53 грн
6000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.52 грн
6000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312PNLFAIRCHILD
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318PONS/FAIMOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 99860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318Ponsemi / FairchildMOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 22738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+42.87 грн
100+28.17 грн
500+21.81 грн
1000+19.74 грн
3000+16.02 грн
6000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]