Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC606PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.18 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PonsemiMOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.58 грн
8+55.18 грн
10+47.38 грн
50+33.55 грн
100+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P
Код товару: 128958
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 14421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.06 грн
50+36.29 грн
100+30.20 грн
500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1117+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.38 грн
6000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.61 грн
25+17.11 грн
100+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1557+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 1557 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.11 грн
9000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+17.92 грн
802+17.64 грн
815+17.36 грн
829+16.46 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON-SemiconductorP-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+39.28 грн
1000+28.36 грн
3000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.42 грн
50+28.21 грн
100+23.38 грн
500+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZonsemiMOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 141170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.50 грн
42+18.21 грн
43+17.92 грн
100+17.01 грн
250+15.50 грн
500+14.63 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ-F171onsemiDescription: FDC608PZ - P-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
на замовлення 681149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ-F171ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC608PZ-F171 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 510149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ_F171ON SemiconductorFDC608PZ-F171
на замовлення 681149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.73 грн
10000+26.50 грн
100000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.57 грн
9000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1718+20.59 грн
10000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 1718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+23.50 грн
1000+19.65 грн
3000+19.16 грн
6000+18.43 грн
9000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 A, Ptot, Вт = 0,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1005 @ 15, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 4,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SSOT-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
6000+11.60 грн
9000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZonsemiMOSFETs -30V P-CHANNEL
на замовлення 65094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 6114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
6000+11.59 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.63 грн
41+18.73 грн
100+17.58 грн
500+15.47 грн
1000+12.73 грн
3000+11.43 грн
6000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
9000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
17+24.74 грн
50+20.80 грн
100+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.80 грн
6000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 1362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 1362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GON SemiconductorFDC610PZ-G
на замовлення 320053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+25.98 грн
10000+23.16 грн
100000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 1362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-GonsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-PGONSEMIDescription: ONSEMI - FDC610PZ-PG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ-PGonsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ_PGON SemiconductorFDC610PZ-PG
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1722+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 1722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301FAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.70 грн
6000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 20053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.55 грн
21+20.30 грн
50+16.61 грн
100+15.10 грн
500+11.57 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
6000+9.75 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+12.32 грн
9000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.36 грн
50+18.48 грн
100+15.23 грн
500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+24.45 грн
3000+20.67 грн
6000+20.56 грн
9000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N-NL
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6301N.. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N/301FAIRCHLD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N_GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N_NL
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 N-CH 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin SuperSOT T/R
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1173+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 1173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin SuperSOT T/R
на замовлення 14814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1173+30.15 грн
10000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 1173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin SuperSOT T/R
на замовлення 40845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1173+30.15 грн
10000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 1173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1173+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 1173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1121+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 1121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PFAIRCHILDTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 6-Pin SuperSOT T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1173+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 1173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 64937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6302P_QON Semiconductor / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
6000+14.13 грн
9000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.