Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFH70N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 70A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N15IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N20Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N30Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3IXYSMOSFETs Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.82 грн
10+652.58 грн
120+555.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH70N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 70 A, 0.044 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.82 грн
5+909.29 грн
10+770.77 грн
50+685.80 грн
100+604.74 грн
250+592.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH70N65X3IXYSDescription: MOSFET 70A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1039.14 грн
30+615.25 грн
120+530.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1036.55 грн
10+622.41 грн
120+511.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.74 грн
10+703.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH72N30X3MOSFET N-CH 300V 72A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 7519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.52 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.17 грн
30+337.04 грн
120+289.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20PIXYSMOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.06 грн
10+294.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH74N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 7519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.80 грн
30+476.28 грн
120+425.44 грн
510+381.27 грн
1020+321.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10IXYSMOSFET 100V 75A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10( N-CH U=100В I= 75 A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH75N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10 (n -канальний транзистор)
Код товару: 46495
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH75N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-11IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 76A TO247AD
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-11IXYSMOSFET 70V 76A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-11N-кан. 70V 76A 0.011 TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-12IXYSMOSFET 70V 76A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-12N-кан. 70V 76A 0.012 TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-12LittelfuseTrans MOSFET N-CH 70V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N07-12IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 76A TO247AD
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2IXYSMOSFETs TO247 150V 76A N-CH TRENCH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.72 грн
10+397.74 грн
120+254.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2Ixys CorporationIXFH76N15T2
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.88 грн
30+482.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH76N15T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH78N60X3MOSFET ULTRA JCT 600V 78A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH78N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 78A TO247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.23 грн
10+889.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH78N60X3IXYSMOSFETs TO247 600V 78A N-CH X3CLASS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+1033.33 грн
10+912.18 грн
30+564.01 грн
120+543.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N100PIXYSMOSFETs TO247 1KV 7A N-CH POLAR
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.64 грн
10+596.21 грн
120+418.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N80IXYSMOSFETs 7 Amps 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N90QIXYSMOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH7N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N06IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N08IXYSDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N10IXYSMOSFETs 80 Amps 100V 0.125 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N15QIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N15QTO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N20QIXYS0724
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N20QTO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1005.14 грн
10+602.56 грн
120+490.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.97 грн
10+804.41 грн
100+665.97 грн
500+544.23 грн
1000+474.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N30P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 80A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N60X2AIXYSMOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1295.08 грн
10+792.30 грн
120+681.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1424.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+953.95 грн
5+816.01 грн
10+772.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.17 грн
30+743.81 грн
120+644.42 грн
510+571.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.86 грн
5+996.28 грн
10+849.69 грн
50+652.89 грн
100+584.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4IXYSMOSFETs 650V/80A TO-247-4L
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.86 грн
10+874.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4Ixys CorporationX2-Class HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1512.00 грн
11+1357.46 грн
12+1216.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1103.39 грн
2+973.89 грн
5+874.18 грн
10+788.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.00 грн
30+817.05 грн
120+710.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.93 грн
5+1034.13 грн
10+883.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH86N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH86N30TIXYSMOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.72 грн
10+573.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N20QTO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N20QIXYSMOSFET 88 Amps 200V 0.03 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+653.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1142.86 грн
10+803.42 грн
120+695.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+851.93 грн
6+727.93 грн
10+703.00 грн
30+682.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH8N80IXYSMOSFETs 8 Amps 800V 1.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH8N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 90A N-CH X3CLASS
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+709.56 грн
10+499.36 грн
120+367.95 грн
510+341.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.34 грн
30+384.35 грн
120+326.48 грн
510+282.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N20X3N-Channel 200 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3IXYSDescription: MOSFET 90A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.10 грн
30+728.85 грн
120+645.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3IXYSMOSFETs Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1278.17 грн
10+925.68 грн
120+712.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH90N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1185.55 грн
5+1063.12 грн
10+940.70 грн
50+856.31 грн
100+773.87 грн
250+757.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH94N30P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1424.87 грн
12+1259.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH94N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.95 грн
10+834.38 грн
30+521.90 грн
60+521.21 грн
120+520.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH94N30P3Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH94N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH94N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]