Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD42CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTRANS PNP 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 15W
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.05 грн
500+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.38 грн
50+29.62 грн
100+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
851+41.59 грн
1000+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 851 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQYangjie Electronic TechnologyMJD42CQ
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes Zetex100V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.32 грн
100+25.66 грн
500+18.54 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.02 грн
10+44.47 грн
100+25.22 грн
500+19.44 грн
1000+17.56 грн
2500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CR
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRL
на замовлення 896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+56.53 грн
1000+52.13 грн
10000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.87 грн
500+33.06 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.30 грн
10+75.08 грн
100+43.55 грн
500+34.28 грн
1000+27.52 грн
1800+25.43 грн
9000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.42 грн
100+44.34 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
14+60.56 грн
100+44.87 грн
500+33.06 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4On SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...75, 3МГц, 20Вт, DPAK (SMD) (компл. MJD41C) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.66 грн
5000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.70 грн
100+28.61 грн
500+20.76 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GOn SemiconductorTRANS PNP 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.48 грн
25+30.58 грн
26+29.93 грн
100+26.40 грн
250+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.24 грн
500+20.68 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.66 грн
10+49.36 грн
100+28.08 грн
500+21.74 грн
1000+19.72 грн
2500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.53 грн
5000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.90 грн
20+41.70 грн
100+30.24 грн
500+20.68 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42TC4
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44C-TPMicro Commercial ComponentsNPN Power Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Medium Power Bipolar Transistors,DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44C-TPMicro Commercial ComponentsNPN Power Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3onsemionsemi BIP DPAK NPN 10A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3-1
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4onsemiDarlington Transistors 10A 80V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4onsemiDescription: TRANS PWR DARL NPN 10A 80V DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.16 грн
17+47.96 грн
100+32.84 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.14 грн
5000+16.99 грн
7500+16.26 грн
12500+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.03 грн
100+24.72 грн
250+22.53 грн
500+21.29 грн
1000+20.94 грн
3000+20.59 грн
6000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.84 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+45.14 грн
100+29.61 грн
500+21.51 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+26.03 грн
552+25.64 грн
561+25.23 грн
570+23.95 грн
1000+21.81 грн
3000+20.59 грн
6000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GON Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4GonsemiDarlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+41.10 грн
100+25.08 грн
500+20.76 грн
1000+18.95 грн
2500+16.93 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G (onsemi)
Код товару: 194764
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11onsemiDescription: TRANS POWER NPN 8A 80V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11NexperiaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11ONS/FAINPN, TO-252(DPAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 32364
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 А
h21: 60
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11 369A-13ON09+ SOP
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-001onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13Diodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor In TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13Diodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor In TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+29.36 грн
500+27.91 грн
1000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.29 грн
10+57.53 грн
100+32.89 грн
500+25.92 грн
1000+22.71 грн
2500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
75+32.89 грн
150+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.60 грн
75+31.54 грн
150+28.94 грн
525+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 16493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+34.93 грн
75+26.96 грн
525+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.46 грн
525+46.77 грн
1050+38.52 грн
2550+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GOn SemiconductorTRANS NPN 80V 8A IPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+40.24 грн
525+33.78 грн
1050+28.54 грн
2100+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.11 грн
237+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.24 грн
525+33.78 грн
1050+28.54 грн
2100+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11-1G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 31169
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+53.97 грн
100+35.02 грн
500+25.22 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
10+92.66 грн
100+57.39 грн
500+36.76 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.39 грн
500+36.76 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.91 грн
10+58.89 грн
100+31.84 грн
500+21.95 грн
1000+18.46 грн
2500+16.51 грн
5000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ
Код товару: 189016
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
16+52.83 грн
100+43.41 грн
500+39.48 грн
1000+35.74 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.12 грн
10+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GON-SemiconductorNPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+41.96 грн
150+41.70 грн
525+37.10 грн
1050+35.11 грн
2025+30.62 грн
5025+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.98 грн
10+43.27 грн
75+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+41.96 грн
340+41.70 грн
525+37.10 грн
1050+35.11 грн
2025+30.62 грн
5025+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11G
Код товару: 118488
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]