Продукція > R60

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6030KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.96 грн
10+208.58 грн
100+148.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXROHMDescription: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX
Код товару: 203153
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
10+254.72 грн
50+199.58 грн
100+170.65 грн
500+141.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.62 грн
68+211.25 грн
100+204.08 грн
250+190.82 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7RohmN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 14,5 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 86, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FM Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6030KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.93 грн
10+325.32 грн
50+258.12 грн
100+221.94 грн
500+186.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.42 грн
10+347.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 305W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 305W
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.67 грн
30+338.06 грн
60+309.13 грн
120+267.28 грн
510+230.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+728.66 грн
10+458.64 грн
25+454.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17ROHMDescription: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+623.27 грн
25+601.96 грн
50+579.74 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.03 грн
30+328.34 грн
120+303.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+623.27 грн
25+601.96 грн
50+579.74 грн
100+538.49 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+283.28 грн
53+272.49 грн
100+263.25 грн
250+246.15 грн
500+221.71 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030MNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6031435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R60327RICOHSOP-8
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.03 грн
25+604.88 грн
50+581.84 грн
100+542.02 грн
250+486.64 грн
500+454.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.05 грн
30+320.49 грн
120+270.34 грн
510+225.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+632.03 грн
25+604.88 грн
50+581.84 грн
100+542.02 грн
250+486.64 грн
500+454.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6035ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.46 грн
30+332.55 грн
120+309.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+596.91 грн
25+571.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.14 грн
26+549.48 грн
50+528.54 грн
100+492.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.48 грн
10+633.97 грн
100+524.86 грн
500+428.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.41 грн
30+264.12 грн
120+131.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6035VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.114 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 8A, 15V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
50+120.27 грн
100+108.90 грн
500+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6038YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 38A TO-220AB, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.59 грн
10+328.99 грн
100+239.55 грн
500+189.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 18A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.37 грн
10+285.46 грн
100+230.69 грн
500+189.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 600V 38A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 9A, 12V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.08 грн
10+377.30 грн
120+305.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6038YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6038YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R603N32205000JKEMETFilm Capacitors 0.22 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3220CK00KKEMETFilm Capacitors 0.22 U 300VV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3330CK00JKEMETFilm Capacitors 0.33 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3470AA00JKEMETFilm Capacitors 0.47 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3470AA00KKEMETFilm Capacitors 0.47uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3470DQ00KKEMETFilm Capacitors 0.47 U 300VV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603N35605000JKEMETFilm Capacitors 0.56 uF 105C 0.56 uF 105C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3024 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3680AA00KKEMETFilm Capacitors 0.68uF 300V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603N3680AA00KKEMETDescription: 0.68F 300V
Tolerance: ±10%
Packaging: Tray
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked
Voltage Rating - DC: 560V
Capacitance: 0.68 µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3470JB00KKEMETFilm Capacitors 0.47uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3560JB00KKEMETFilm Capacitors 0.56uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3680JB00KKEMETFilm Capacitors 0.68uF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603R3680JB00KKEMETDescription: 0.68F 300V
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603R4100AA00KKEMETFilm Capacitors 1uF/10VAC/2V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2880 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R603R41505000MKEMETFilm Capacitors 300vac 1.5uF 20%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R603W4470AA00KKEMETFilm Capacitors 440.UF 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60400-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.