Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFHM9331TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC
на замовлення 4807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.51 грн
8000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+33.26 грн
484+29.18 грн
494+28.57 грн
591+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInternational RectifierSingle P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+24.37 грн
643+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.83 грн
10+41.37 грн
100+27.02 грн
500+19.55 грн
1000+17.68 грн
2000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+32.42 грн
454+31.11 грн
500+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 436 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.50 грн
8000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.86 грн
16+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHP8321TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHP8334TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TR2
Код товару: 99499
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN2*2
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 8,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 653/4,3
Монтаж: SMD
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.59 грн
10+32.46 грн
100+21.03 грн
500+15.09 грн
1000+13.59 грн
2000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 177700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1735+20.35 грн
10000+18.14 грн
100000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 1735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+66.23 грн
343+41.21 грн
531+26.62 грн
1000+25.58 грн
2000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1735+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1736+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1735+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1736+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TR2
Код товару: 99500
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: PQFN2*2
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 8,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 16 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 600/4,2
Монтаж: SMD
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
3+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-6
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
538+26.25 грн
558+25.30 грн
1000+24.48 грн
2500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 538 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+27.17 грн
522+27.05 грн
567+24.93 грн
1000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBF
Код товару: 180301
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBFTRInfineon TechnologiesDescription: IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.11 грн
345+40.92 грн
434+32.55 грн
500+30.03 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.73 грн
8000+12.88 грн
12000+12.24 грн
20000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC
на замовлення 28042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.86 грн
8000+21.30 грн
12000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 27455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 22252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
10+33.29 грн
100+25.21 грн
500+18.18 грн
1000+15.71 грн
2000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.87 грн
8000+21.31 грн
12000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.037 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 27455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TR2PBF
Код товару: 57893
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.53 грн
8000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+21.53 грн
2000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
на замовлення 6267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.41 грн
10+42.44 грн
100+27.69 грн
500+20.03 грн
1000+16.26 грн
2000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+85.80 грн
261+54.19 грн
500+35.84 грн
1000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+24.68 грн
10000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 1430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NInternational RectifierN-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 49
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.30 грн
10+163.68 грн
25+148.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1010NPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NInternational RectifierN-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.69 грн
196+72.32 грн
500+61.53 грн
1000+58.74 грн
4000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.41 грн
179+79.00 грн
500+69.55 грн
1000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+86.34 грн
10+82.96 грн
50+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 17875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.74 грн
196+72.37 грн
500+61.53 грн
1000+58.73 грн
4000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]