Продукція > AON

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AONS66814Alpha & Omega SemiconductorMedium Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66817ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 210A; 45W; DFN5x6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 210A
Polarisation: unipolar
Case: DFN5x6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66817Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66908Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 158A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.16 грн
50+82.15 грн
100+69.23 грн
500+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66908Alpha & Omega SemiconductorMedium Voltage MOSFETs (40V - 400V)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.03 грн
171+83.01 грн
172+82.59 грн
194+70.63 грн
250+60.49 грн
500+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66908Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 158A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66908Alpha & Omega SemiconductorMedium Voltage MOSFETs (40V - 400V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66908Alpha & Omega SemiconductorMedium Voltage MOSFETs (40V - 400V)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.12 грн
10+90.03 грн
25+83.01 грн
50+79.64 грн
100+65.40 грн
250+58.07 грн
500+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66909Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel AlphaSGT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66909Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66909ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 160A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 86W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 86W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916
Код товару: 214186
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916TAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: AONS66916T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66916TALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 184A; Idm: 670A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 670A
Power dissipation: 129W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66917Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66917Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 50 V
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+223.57 грн
50+174.58 грн
100+149.05 грн
500+130.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66917Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+118.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66917TAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66917TAlpha & Omega SemiconductorN-Channel AlphaSGT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66919Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.20 грн
50+77.43 грн
100+65.18 грн
500+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66919Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66920ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 48A; Idm: 125A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Technology: AlphaSGT™
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 22.5W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66920Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel AlphaSGT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 30293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.27 грн
50+68.19 грн
100+57.29 грн
500+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.91 грн
9000+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66923Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.34 грн
9000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.03 грн
50+74.98 грн
100+63.08 грн
500+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66966Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 31.3A/100A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS66966Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 31.3A/100A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.3A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 50 V
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.58 грн
10+184.47 грн
100+129.43 грн
500+99.43 грн
1000+92.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS67614ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 85A; Idm: 450A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 85A
Power dissipation: 31W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 450A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS67614Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS67614Alpha & Omega Semiconductor60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONS68520ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 208W; DFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DFN8
On-state resistance: 9.6mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONS850A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN-EP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONT21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONT32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV070V65G1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: GAN
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 6V
Power Dissipation (Max): 125W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA
Supplier Device Package: 8-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 203 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONV110A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 357W; DFN8x8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 357W
Pulsed drain current: 140A
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV110A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV125A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV140A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV180A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV210A60ALPHA&OMEGA600V, A MOS5 TM N-CHANNEL POWER AONV210A60 TAONV210A60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+413.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV210A60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 208W; DFN8x8
Case: DFN8x8
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 208W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV210A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONV420A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX36320Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.1W (Ta), 24W (Tc), 5W (Ta), 75W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 22A (Tc), 60A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 20A, 10V, 0.82mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX36324Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 24W (Tc), 3.5W (Ta), 39W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 55A (Tc), 32A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145pF @ 15V, 2265pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 20A, 10V, 1.95mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38168ALPHA&OMEGA25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS AONX38168 Alpha & Omega Semiconductor Inc. TAONX38168
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+174.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38168Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 12.5V, 4520pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38168Alpha & Omega Semiconductor25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38168ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 38/85A; 8/27W; DFN5x6E
Mounting: SMD
Power dissipation: 8/27W
Polarisation: unipolar
Drain current: 38/85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Semiconductor structure: asymmetric
Case: DFN5x6E
On-state resistance: 5/1.15mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38168Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 12.5V, 4520pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+126.73 грн
100+87.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38320Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.1W (Ta), 24W (Tc), 4.4W (Ta), 73W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 66A (Tc), 57A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 15V, 6260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V, 800µOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, 123nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONX38320ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 42/147A; 9.6/29W; DFN5x6E
Case: DFN5x6E
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.3/1.02mΩ
Power dissipation: 9.6/29W
Gate-source voltage: ±16/±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42/147A
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36304Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 51A (Tc), 26A (Ta), 83A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, 2.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36306Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 32A (Tc), 24A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 1930pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352
Код товару: 190950
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/72.5A; 8.5/18W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/72.5A
Power dissipation: 8.5/18W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
8+52.83 грн
10+46.88 грн
100+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 52nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 11230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.38 грн
50+63.61 грн
100+53.38 грн
500+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36352Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.5A/30A 8-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36354
Код товару: 187074
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36354ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54.5A; 8.5/12.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31/54.5A
Power dissipation: 8.5/12.5W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 5.3/2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36354Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36354Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36354Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.76 грн
50+57.59 грн
100+48.24 грн
500+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36356Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.5A/24A 8-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36356Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 32A (Tc), 24A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.27 грн
50+58.77 грн
100+49.24 грн
500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36356Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 17.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 32A (Tc), 24A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AONY36356ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 32A; 8.7/13W; DFN5x6B
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 8.7/13W
Case: DFN5x6B
On-state resistance: 6.1/3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.