Продукція > IPC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPC045N10N3X1SA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: Sawn on foil Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 31190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC055N03L3X1SA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: Sawn on foil Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TDSON-8-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5-1R2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.2mΩ Power dissipation: 150W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5-1R7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Gate charge: 83nC On-state resistance: 1.7mΩ Power dissipation: 115W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5-1R9 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 823578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP IPC100N04S51R2ATMA1 TIPC100n04s51r2 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 176515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 19895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 21615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 8311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 327825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | на замовлення 1692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 130521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S51R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 186780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 87275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S52R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V,40V) | на замовлення 3626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-1R1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-1R5 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-1R9 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L-2R6 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R1ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm | на замовлення 10999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 38019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 31863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | на замовлення 30101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 64408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 34132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

