Продукція > SCS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS220AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Not For New Designs Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-263AB Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 20A DPAK | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS220AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 31 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AMC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-220FM | на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AMC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; 40W Case: TO220FP-2 Mounting: THT Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 20A Max. forward voltage: 1.55V Max. forward impulse current: 260A Power dissipation: 40W Max. load current: 41A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS220ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 31nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANTRL | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A SM SIC SKY | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220ANTRL | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2C | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2C | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2C | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC SBD 20A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2GC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2HR | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10/20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes AECQ | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KGC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 20A 1200V | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KGC17 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFP Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220ACFP Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole | на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGC17 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KGHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 68nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1200V 20A SIC AUTO | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 68nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 20A SM SIC SKY | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220KNTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.2 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220KNTRL | Rohm Semiconductor | Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.2 kV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS226K | NEWINORI | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SCS230AE2C | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230AE2C | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 30A TO-247 | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230AE2C | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2GC11 | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V, 30A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247N Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 15A/30A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 30A RDL SIC SKY | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230ANHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V, 30A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS230ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 38 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 38nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 30A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1090pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 30A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1090pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230ANTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 30A SM SIC SKY | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2 | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2AHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2AHRC Код товару: 162553
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SCS230KE2AHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V;30A;370W SiC SBD TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2C | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2C | Rohm | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2C | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2C | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 30A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2GC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 30A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO-247N Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247N Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2GC11 | Rohm | DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247N Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V | на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2HRC11 | Rohm | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 15A (DC) Through Hole TO-247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS230KE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS230KE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V, 30A, 3-PIN THD | на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS240AE2C | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC SBD 40A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS240AE2C | ROHM | Description: ROHM - SCS240AE2C - SiC-Schottky-Diode, Barriere, SCS24, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 40 A, 31 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 31 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 40 Produktpalette: SCS24 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

