Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB3045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB3045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 30A; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.48V
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 200A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.06 грн
9+49.36 грн
25+43.71 грн
100+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3055L2ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB3060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3060CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30H100CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30H100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 0.3kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N10T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.21 грн
10+338.27 грн
100+277.86 грн
500+234.08 грн
1000+193.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.85 грн
10+310.66 грн
100+232.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.60 грн
10+329.47 грн
100+214.01 грн
1000+190.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+349.54 грн
10+236.58 грн
100+157.40 грн
500+132.55 грн
1000+127.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.03 грн
10+262.56 грн
100+187.66 грн
500+166.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+211.65 грн
100+150.73 грн
500+117.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M2AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N65M2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.66 грн
500+166.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.98 грн
10+302.74 грн
100+224.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.43 грн
10+320.73 грн
100+207.79 грн
500+207.10 грн
1000+193.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+190.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.39 грн
5+479.21 грн
10+392.23 грн
50+335.05 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.09 грн
10+369.16 грн
100+247.83 грн
1000+234.03 грн
2000+209.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+392.23 грн
50+335.05 грн
100+256.12 грн
250+251.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 100 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.97 грн
10+388.29 грн
100+285.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NE06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NE10
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+82.64 грн
100+60.64 грн
500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.62 грн
3000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+97.45 грн
100+64.51 грн
500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4
Код товару: 119902
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+88.92 грн
100+56.88 грн
500+45.36 грн
1000+39.21 грн
2000+36.93 грн
5000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.51 грн
500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.92 грн
10+126.02 грн
100+86.87 грн
500+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.10 грн
10+123.85 грн
100+75.25 грн
500+62.34 грн
1000+55.37 грн
2000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.93 грн
2000+93.72 грн
3000+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.93 грн
2000+93.72 грн
3000+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.27 грн
10+123.05 грн
100+77.32 грн
500+69.72 грн
1000+55.37 грн
2000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.77 грн
10+136.11 грн
100+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.17 грн
2000+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMMOSFET N CH 200V 30A D2PAK (TO-263AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.05 грн
10+119.06 грн
100+82.09 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.17 грн
2000+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+217.35 грн
84+169.16 грн
100+166.32 грн
500+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.50 грн
10+314.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM60N
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NS15ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB31N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB31N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.23 грн
10+251.66 грн
100+171.89 грн
500+143.59 грн
1000+125.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB31N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.73 грн
10+523.96 грн
100+411.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 119mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB32N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.60 грн
10+234.20 грн
100+145.66 грн
500+138.76 грн
1000+117.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.60 грн
500+181.56 грн
1000+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.64 грн
10+262.56 грн
100+187.66 грн
500+166.03 грн
1000+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB32NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.38 грн
10+221.52 грн
100+158.12 грн
500+141.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.23 грн
10+238.12 грн
100+170.21 грн
500+143.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.81 грн
10+256.43 грн
100+158.78 грн
500+142.21 грн
1000+134.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.67 грн
10+290.92 грн
100+210.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.38 грн
10+231.82 грн
100+142.90 грн
500+125.64 грн
1000+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.84 грн
10+215.54 грн
100+153.18 грн
500+125.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]