Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.07 грн
21+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 865 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.16 грн
16+47.86 грн
100+35.01 грн
500+27.61 грн
1000+20.49 грн
3000+16.11 грн
6000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 209865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+48.24 грн
401+35.29 грн
500+28.86 грн
1000+22.30 грн
3000+16.90 грн
6000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.09W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.01 грн
50+36.25 грн
100+26.58 грн
500+20.30 грн
1500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3VishayTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
Код товару: 172429
Додати до обраних Обраний товар
VISHAYТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 50 V
Струм стоку Idd, A: 2.3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 190/4,5
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+7.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 95055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.25 грн
9000+6.88 грн
15000+6.07 грн
21000+5.84 грн
30000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.25 грн
51+16.09 грн
100+13.49 грн
500+11.32 грн
1000+9.20 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
755+18.74 грн
1046+13.53 грн
1081+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3
Код товару: 202447
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1510+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 1510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 30 V
на замовлення 42101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+22.12 грн
100+14.02 грн
500+9.88 грн
1000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.79 грн
40+19.05 грн
77+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2308CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.49 грн
500+11.32 грн
1000+9.20 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DSVISHAY09+ SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS
Код товару: 53989
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1Vishay SiliconixSOT23/P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1SI99+ SOT-23
на замовлення 36999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1-E3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2308BDS-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T1SOT23-A8VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 60V, N-CH 220mohm 4.5V RATED MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309KEXIN09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309AUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309AUMWDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.62 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 60V 1.2A
на замовлення 177665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
6000+12.15 грн
9000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2309CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.82 грн
20+41.62 грн
100+26.99 грн
500+19.17 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.64 грн
100+22.38 грн
500+16.05 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1065+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 1065 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 210 pF @ 30 V, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.17 грн
50+41.21 грн
100+26.74 грн
500+19.02 грн
1500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.72 грн
6000+18.12 грн
9000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.78 грн
6000+18.18 грн
9000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 100275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.64 грн
100+22.38 грн
500+16.05 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 99855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
9000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V SOT23-3 Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
27+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.3A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
12+35.47 грн
50+25.16 грн
100+21.72 грн
500+15.68 грн
1000+13.84 грн
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.39 грн
6000+17.78 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.64 грн
16+49.80 грн
100+32.41 грн
500+23.84 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
6000+12.15 грн
9000+11.60 грн
15000+10.30 грн
21000+9.95 грн
30000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.74 грн
500+19.02 грн
1500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
9000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3
Код товару: 173271
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.87 грн
500+29.04 грн
1000+25.74 грн
3000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.39 грн
6000+17.78 грн
9000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3VishayTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DSVISHAY09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DSRectronMOSFETs Plastic-Encapsulated MOSFET P-CH-60V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DS-E3
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DS-T1VISHAY3 TO23-3
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309DS-TI-E3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310Microdiode ElectronicsSI2310
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMicro Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.22 грн
35+23.74 грн
100+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TP
Код товару: 197195
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
6000+5.70 грн
9000+5.40 грн
15000+4.74 грн
21000+4.56 грн
30000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 50154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
17+17.81 грн
100+11.25 грн
500+7.87 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310AUMWDescription: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
14+22.72 грн
25+18.60 грн
100+13.13 грн
250+11.01 грн
500+9.70 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310AUMWDescription: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.94 грн
100+9.40 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310AHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 409 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]