Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.69 грн
100+142.31 грн
106+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.32 грн
10+227.67 грн
25+225.42 грн
50+203.48 грн
100+173.71 грн
500+153.86 грн
1000+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.32 грн
62+227.67 грн
63+225.42 грн
67+203.48 грн
100+173.71 грн
500+153.86 грн
1000+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N60IRTO-220F
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB8N50KIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB8N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB8N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GVishayN-MOSFET 600V 1.7A 30W IRFIBC20G Vishay TIRFIBC20g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC20GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay DaleTO220AB (аналог 2SK2761) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.43 грн
50+120.42 грн
100+108.87 грн
500+83.15 грн
1000+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30G
Код товару: 125659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBC30GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishayN-MOSFET 600V 2.5A 35W IRFIBC30G Vishay TIRFIBC30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.84 грн
16+49.80 грн
100+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF
Код товару: 127485
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.50 грн
250+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
50+110.61 грн
100+94.81 грн
500+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40G
Код товару: 83096
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishayN-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLC
на замовлення 11750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.88 грн
83+171.63 грн
100+156.73 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBC40GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.34 грн
10+174.03 грн
100+158.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.87 грн
10+164.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE20GPBFVISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30G
Код товару: 37892
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 2,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GVishayN-MOSFET 800V 2.1A 35W IRFIBE30G Vishay TIRFIBE30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30G-103IRTO-220F
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30G-LF33(94-5741)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.17 грн
100+164.11 грн
500+143.83 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+141.37 грн
10+121.05 грн
50+99.89 грн
100+96.50 грн
250+92.27 грн
500+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.61 грн
10+228.33 грн
50+178.38 грн
100+152.33 грн
500+125.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.87 грн
50+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBF20GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Gate charge: 38nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.12 грн
10+134.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.02 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.87 грн
110+128.49 грн
500+103.69 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+158.89 грн
100+151.79 грн
250+145.70 грн
500+135.42 грн
1000+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.77 грн
10+139.31 грн
100+128.90 грн
500+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.59 грн
10+150.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.96 грн
50+92.26 грн
100+91.93 грн
500+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+109.49 грн
131+108.40 грн
133+106.37 грн
134+102.00 грн
500+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.55 грн
136+104.49 грн
137+103.60 грн
145+93.87 грн
500+77.07 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30G
Код товару: 52686
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GVishayN-MOSFET 900V 1.9A 35W IRFIBF30G Vishay TIRFIBF30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.62 грн
10+215.61 грн
50+168.10 грн
100+143.40 грн
500+118.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBG20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIR21084SPBFInternational RectifierIRFIR21084SPBF IR21084SPBF Half Bridge Driver, Soft Turn-On, All High Voltage Pins on One Side in Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIRF7314PBFInfineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIRL60B216International RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ14G
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]