Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0602NSATMA1Infineon TechnologiesBSC0602NSATMA1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
10000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.01 грн
69+206.82 грн
100+199.80 грн
250+186.82 грн
500+168.27 грн
1000+157.59 грн
2500+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3G
Код товару: 86504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.85 грн
90+158.57 грн
100+153.18 грн
250+143.23 грн
500+129.02 грн
1000+120.83 грн
2500+118.16 грн
5000+115.81 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.15 грн
250+83.58 грн
1000+59.85 грн
3000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.41 грн
168+84.55 грн
179+79.33 грн
250+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.59 грн
10+85.41 грн
25+84.55 грн
100+76.49 грн
250+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.81 грн
179+79.20 грн
188+75.62 грн
1000+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 12168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.65 грн
50+122.15 грн
250+83.58 грн
1000+59.85 грн
3000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.59 грн
10000+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 11816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.70 грн
10+104.99 грн
100+71.93 грн
500+54.24 грн
1000+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3E GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+49.29 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.86 грн
10+58.73 грн
100+39.04 грн
500+28.70 грн
1000+26.15 грн
2000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.97 грн
16+49.30 грн
25+49.11 грн
100+39.79 грн
250+36.10 грн
500+30.21 грн
1000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.54 грн
438+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.78 грн
500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+135.83 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 22662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.70 грн
50+69.59 грн
250+51.83 грн
1000+33.58 грн
3000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.24 грн
10+115.72 грн
100+81.16 грн
500+61.64 грн
1000+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.18 грн
117+121.63 грн
143+99.00 грн
200+91.83 грн
500+75.85 грн
1000+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 6687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.77 грн
10+130.51 грн
100+89.29 грн
500+67.27 грн
1000+61.96 грн
2000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.16 грн
500+61.64 грн
1000+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC064N3SINFINEONSOP-8
на замовлення 13844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+161.71 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 15601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.84 грн
50+73.29 грн
250+60.67 грн
1000+40.89 грн
3000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 28731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
10+87.23 грн
100+58.88 грн
500+43.84 грн
1000+40.17 грн
2000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 68842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1InfineonMOSFET, N-CH, 60V, 150DEG C, 46W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1
Код товару: 214673
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 15601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.29 грн
250+60.67 грн
1000+40.89 грн
3000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.34 грн
10000+33.76 грн
15000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 12478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSInfineonMOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.53 грн
50+98.04 грн
250+70.96 грн
1000+45.89 грн
3000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4967.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.04 грн
250+70.96 грн
1000+45.89 грн
3000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.92 грн
10+95.65 грн
25+93.97 грн
100+64.08 грн
250+57.87 грн
500+46.69 грн
1000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.41 грн
10+79.02 грн
100+53.01 грн
500+39.30 грн
1000+35.94 грн
2000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 21710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.65 грн
151+93.97 грн
213+66.46 грн
250+62.50 грн
500+48.64 грн
1000+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3 GInfineon
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.82 грн
500+39.33 грн
1000+33.75 грн
5000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.73 грн
201+70.62 грн
213+66.66 грн
1000+51.10 грн
2000+47.23 грн
5000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.58 грн
10+87.53 грн
100+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6700 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.74 грн
50+88.40 грн
250+69.67 грн
1000+47.38 грн
3000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.97 грн
10+97.86 грн
100+76.70 грн
250+68.42 грн
500+52.18 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC067N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.97 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.BSC0702LS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.46 грн
10000+55.51 грн
15000+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSInfineon60V 100A 83W 2.3mO@10V,50A 2.3V@49uA 1PCSNChannel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.42 грн
10+87.59 грн
100+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.55 грн
10+111.71 грн
100+76.43 грн
500+57.55 грн
1000+52.99 грн
2000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 134 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 @ 30, Qg, нКл = 30 @ 4,5 B, Rds = 2,7 мОм @ 50 A, 10 B, Ugs(th) = 2,3 B @ 49 мкА, Р, Вт = 83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0702LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0702LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0053 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.97 грн
15+57.22 грн
100+44.60 грн
500+34.18 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesBSC0703LSATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0703LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 6753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+63.35 грн
100+49.40 грн
500+38.30 грн
1000+30.23 грн
2000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]