Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC059N03S GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 17.5A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03S GInfineon09+
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03SG
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03SGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03STInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03STInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/89A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS
Код товару: 147868
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS GInfineon
на замовлення 305000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+116.15 грн
128+110.95 грн
250+106.50 грн
500+98.99 грн
1000+88.67 грн
2500+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.46 грн
50+29.80 грн
100+24.72 грн
500+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.37 грн
10+78.62 грн
100+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1
Код товару: 216795
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.36 грн
15000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 6183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.37 грн
181+78.62 грн
254+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.97 грн
204+69.60 грн
298+47.59 грн
500+34.38 грн
1000+27.53 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 62A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.29 грн
50+28.10 грн
100+23.28 грн
500+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1InfineonBSC059N04LSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 16A 8-TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.97 грн
11+69.60 грн
100+47.59 грн
500+34.38 грн
1000+27.53 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 19369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N3SINFINEON08+
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0600NSATMA1Infineon TechnologiesBSC0600NSATMA1
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0600NSATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0600NSATMA1 - BSC0600N - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0602NSATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0602NSATMA1 - BSC0602N - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0602NSATMA1Infineon TechnologiesBSC0602NSATMA1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
10000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.89 грн
65+218.24 грн
100+210.83 грн
250+197.14 грн
500+177.57 грн
1000+166.29 грн
2500+162.63 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3 GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+172.71 грн
30+128.80 грн
50+122.15 грн
100+117.17 грн
300+103.04 грн
500+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3G
Код товару: 86504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.46 грн
10+129.12 грн
100+118.18 грн
500+95.02 грн
1000+77.44 грн
2000+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 37970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.47 грн
10+131.18 грн
50+100.50 грн
100+85.01 грн
500+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.46 грн
110+129.12 грн
120+118.18 грн
500+95.02 грн
1000+77.44 грн
2000+72.40 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 14.9/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -100A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.64 грн
438+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
718+49.40 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 718 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+79.57 грн
50+59.87 грн
100+50.21 грн
500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.10 грн
16+49.41 грн
25+49.22 грн
100+39.88 грн
250+36.18 грн
500+30.28 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 21317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 82A TDSON-8
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC061N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 6100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 82A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.46 грн
117+121.90 грн
143+99.22 грн
200+92.04 грн
500+76.02 грн
1000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC061N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 6687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+130.80 грн
100+89.49 грн
500+67.42 грн
1000+62.09 грн
2000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC064N3SINFINEONSOP-8
на замовлення 13844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.13 грн
50+38.58 грн
100+32.09 грн
500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 14580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1InfineonMOSFET, N-CH, 60V, 150DEG C, 46W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1
Код товару: 214673
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 67971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+162.07 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 14580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 9299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSInfineonMOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.23 грн
10+95.86 грн
25+94.18 грн
100+64.22 грн
250+58.00 грн
500+46.79 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
50+36.60 грн
100+30.46 грн
500+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 64A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.86 грн
151+94.18 грн
213+66.60 грн
250+62.64 грн
500+48.74 грн
1000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC066N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC066N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 13777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.