Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP22D6UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP22D6UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.08 грн
500+8.68 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M1UPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+111.10 грн
100+88.42 грн
500+70.21 грн
1000+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.56 грн
5000+82.13 грн
10000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.15 грн
10+127.40 грн
100+75.94 грн
500+62.91 грн
1000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.56 грн
5000+82.13 грн
10000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.62 грн
12000+4.47 грн
18000+3.88 грн
30000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4.2A 60mΩ 1.4W DMP2305U-7 Diodes TDMP2305u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2305U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.78 грн
500+7.62 грн
1500+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
9000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7
Код товару: 164480
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
на замовлення 56355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+15.02 грн
100+9.41 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7DIODES/ZETEXP-MOSFET 20V 4.2A 60mΩ 1.4W DMP2305U-7 Diodes TDMP2305u
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2305U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.05 грн
63+12.92 грн
100+8.78 грн
500+7.62 грн
1500+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
9000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+4.69 грн
9000+4.43 грн
15000+3.89 грн
21000+3.73 грн
30000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 347725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.24 грн
25+13.06 грн
100+6.90 грн
500+6.13 грн
1000+5.36 грн
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
546+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7DiodesТранзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -4,2А, 1,4Вт, SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305U-7-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DMP2305U-7 Diodes; DMP2305U-7-CN CHIPNOBO TDMP2305u CNB
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.33 грн
15+22.27 грн
100+12.40 грн
500+9.27 грн
1000+8.29 грн
3000+6.76 грн
6000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.83 грн
100+13.26 грн
500+9.36 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.56 грн
13+25.56 грн
100+11.77 грн
500+10.80 грн
1000+9.55 грн
3000+8.64 грн
6000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.14 грн
6000+7.36 грн
9000+6.96 грн
15000+6.50 грн
21000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 727 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.85 грн
100+13.24 грн
500+10.82 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2305UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.23A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2540UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 4A U-WLB1515-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2540UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Ch Enh Mode FET 40mOhm -25V -5.2A
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2541UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-WLB1515-9 T&R 3K
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.60 грн
10+38.94 грн
100+25.36 грн
500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2541UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2541UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DSN1515
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
на замовлення 150271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.18 грн
100+56.19 грн
500+41.88 грн
1000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.59 грн
500+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.06 грн
10+88.14 грн
100+51.63 грн
500+41.04 грн
1000+37.83 грн
3000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP25H18DLFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 260 mA, 10 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.12 грн
10+93.48 грн
100+62.59 грн
500+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP25H18DLFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 250V 0.26A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UFGDiodesMOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 71A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 10 V
на замовлення 61860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.17 грн
100+33.76 грн
500+24.65 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.99 грн
4000+19.52 грн
6000+18.68 грн
10000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M1UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP26M1UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 90 A, 5000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.76W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.10 грн
500+39.25 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+54.40 грн
100+31.21 грн
500+24.25 грн
1000+22.02 грн
2000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+51.02 грн
100+33.67 грн
500+24.59 грн
1000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP26M7UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 40 A, 4200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
14+61.29 грн
100+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP26M7UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.93 грн
4000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP27M1UPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-121MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 125UH 13.5A 16.7 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 16.7mOhm
Current - Saturation (Isat): 6.4A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 125 µH
Current Rating (Amps): 13.5 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
20+974.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-161MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 165UH 11.7A 22.3 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 22.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 165 µH
Current Rating (Amps): 11.7 A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-221MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 220UH 10A 31 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 31mOhm
Current - Saturation (Isat): 4.8A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 10 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
20+974.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-330MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 33UH 26A 4.5 MOHM TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 4.5mOhm
Current - Saturation (Isat): 12.4A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 26 A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-331MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 330UH 7.7A 51.6 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm
Current - Saturation (Isat): 3.9A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 330 µH
Current Rating (Amps): 7.7 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
20+974.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-500MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 50UH 21A 6.8 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 6.8mOhm
Current - Saturation (Isat): 10.2A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 50 µH
Current Rating (Amps): 21 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
20+974.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282820A-900MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 90UH 15.5A 12.5 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 0.787" W (27.50mm x 20.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 12.5mOhm
Current - Saturation (Isat): 7.6A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 90 µH
Current Rating (Amps): 15.5 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1618.97 грн
10+1273.17 грн
20+974.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282829A-111MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 115UH 16.5A 11.9 MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 11.9mOhm
Current - Saturation (Isat): 7.6A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 115 µH
Current Rating (Amps): 16.5 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1854.90 грн
10+1429.03 грн
20+1117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282829A-131MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 135UH 15A 14 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 14mOhm
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 135 µH
Current Rating (Amps): 15 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1854.90 грн
10+1429.03 грн
20+1117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282829A-211MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 210UH 12A 21.6 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 21.6mOhm
Current - Saturation (Isat): 5.7A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 210 µH
Current Rating (Amps): 12 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1854.90 грн
10+1429.03 грн
20+1117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282829A-341MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 0.34MH 10A 36.6 MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 36.6mOhm
Current - Saturation (Isat): 4.4A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 0.34 mH
Current Rating (Amps): 10 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1854.90 грн
10+1429.03 грн
20+1117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP282829A-701MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 700UH 6A 86 MOHM TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Horizontal, 4 Leads
Size / Dimension: 1.083" L x 1.122" W (27.50mm x 28.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 86mOhm
Current - Saturation (Isat): 3.1A
Material - Core: Alloy Powder
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: Radial
Height - Seated (Max): 1.102" (28.00mm)
Inductance: 700 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1854.90 грн
10+1429.03 грн
20+1117.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 220929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
23+13.59 грн
100+8.50 грн
500+5.89 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.63A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
6000+4.19 грн
9000+3.95 грн
15000+3.46 грн
21000+3.31 грн
30000+3.17 грн
75000+2.81 грн
150000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.69 грн
19+17.15 грн
100+9.34 грн
500+6.97 грн
1000+6.06 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UDWQ-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 6553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.70 грн
25+12.90 грн
100+7.04 грн
500+5.16 грн
1000+4.04 грн
5000+3.55 грн
10000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.80 грн
20000+2.45 грн
30000+2.32 грн
50000+2.05 грн
70000+1.97 грн
100000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49 pF @ 16 V
на замовлення 108507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.23 грн
500+4.29 грн
1000+3.78 грн
2000+3.36 грн
5000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UFBQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.85 грн
19+17.55 грн
100+9.68 грн
500+6.13 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.54 грн
17+18.91 грн
100+13.17 грн
500+10.73 грн
1000+8.78 грн
3000+4.39 грн
6000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.74 грн
500+12.68 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.13 грн
36+23.00 грн
100+16.74 грн
500+12.68 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]