Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD45H11-1G
Код товару: 99387
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H111T4
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.67 грн
100+34.83 грн
500+25.08 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.31 грн
500+45.36 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11AJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.44 грн
10+87.79 грн
100+57.31 грн
500+45.36 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11DON04+
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.05 грн
13+67.55 грн
100+36.25 грн
500+32.98 грн
1000+29.82 грн
5000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GON-SemiconductorTransistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11G
Код товару: 154281
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GOn SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GON-SemiconductorTransistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
75+43.02 грн
150+38.47 грн
525+30.02 грн
1050+27.38 грн
2025+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.51 грн
376+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
10+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.91 грн
500+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 16A
Frequency: 80MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
11+76.81 грн
100+49.91 грн
500+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11JNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RL
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.24 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+28.36 грн
3600+25.25 грн
5400+24.19 грн
9000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON Semiconductor
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.14 грн
500+46.71 грн
1800+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+41.03 грн
349+40.61 грн
373+37.95 грн
375+36.45 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 9671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.24 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.62 грн
19+41.03 грн
25+40.61 грн
100+36.60 грн
250+33.75 грн
500+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.24 грн
1000+48.17 грн
10000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.59 грн
100+41.04 грн
500+30.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.24 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
677+52.24 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 677 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.74 грн
11+72.65 грн
100+47.85 грн
500+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.16 грн
5000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsТранзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.16 грн
5000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.41 грн
374+37.82 грн
381+37.22 грн
387+35.31 грн
500+32.15 грн
1000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+44.53 грн
100+30.78 грн
500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4
Код товару: 89434
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD45H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
14+59.50 грн
100+39.59 грн
500+28.23 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.21 грн
100+32.40 грн
500+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.63 грн
500+27.17 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.20 грн
5000+25.60 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 87702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.44 грн
100+32.42 грн
500+23.58 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+46.80 грн
20+39.75 грн
50+32.37 грн
100+28.26 грн
200+25.16 грн
500+22.14 грн
1000+20.55 грн
2500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4G
Код товару: 118487
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.04 грн
50+56.41 грн
100+37.63 грн
500+27.17 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.83 грн
5000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 11901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GON-SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.20 грн
5000+25.60 грн
7500+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD45H11TF - TRANSISTOR, PNP, -80V, -8A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TFonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TF-ONonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TMON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TMFairchild/ON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TMONS/FAIPNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TMonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11TM(транзистор)
Код товару: 60488
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45HK11
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47onsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 8521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
75+42.78 грн
150+38.18 грн
525+29.67 грн
1050+27.00 грн
2025+24.86 грн
5025+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.91 грн
25+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD47G TMJD47
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47G ON
Код товару: 60355
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.57 грн
100+44.23 грн
500+32.51 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD47T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.72 грн
500+31.02 грн
1000+22.57 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
на замовлення 11413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]