Продукція > Si2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2310AHE3-TPCA01Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310B-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.60 грн
53+15.53 грн
100+9.75 грн
500+6.70 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.98 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 60Vds 20Vgs 3.0A 10A 1.2W
на замовлення 14896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2310B-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.70 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310DS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310DS-T1-E3
на замовлення 85200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310K-TPMicro Commercial ComponentsSI2310K-TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 10 V
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.45 грн
100+10.33 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310K-TPMicro Commercial ComponentsSI2310K-TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI2305DS-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2305CDS-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-E3VISHAY0546NO
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2305CDS-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2311DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312GOODWORKDescription: 20V6A40m@1.8VSOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312VISHAY
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312(2SUB)VISHAY09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 47203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.58 грн
500+7.41 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
6000+5.36 грн
9000+5.08 грн
15000+4.46 грн
21000+4.29 грн
30000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312/LN2312LT1G
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312AUMWDescription: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312AGOODWORKDescription: 20V 7A 12m@4.5V SOT-23-3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312AUMWDescription: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
42+7.25 грн
48+6.37 грн
100+5.06 грн
250+4.63 грн
500+4.37 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 20Vds 5.0A 8Vgs 0.35W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.55 грн
100+15.01 грн
500+10.63 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 8 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+19.70 грн
100+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 20Vds 10Vgs 1.25W 22Vbr 300pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BD
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS(M2SHB)
на замовлення 24246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-BE3
Код товару: 184574
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
на замовлення 209632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 20V 3.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.60 грн
19+41.72 грн
100+31.38 грн
500+23.13 грн
1000+19.09 грн
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 3.9A SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.33 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.48 грн
454+31.19 грн
593+23.86 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.31 грн
19+44.71 грн
100+33.33 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.46 грн
19+40.01 грн
100+31.81 грн
500+23.44 грн
1000+18.15 грн
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 15A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
на замовлення 316954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+40.33 грн
442+32.07 грн
578+24.50 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312BDS-T1-GE3
Код товару: 185656
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.70 грн
26+31.78 грн
100+20.48 грн
500+14.42 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 20V 5A
на замовлення 42415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0559
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.57 грн
31+26.82 грн
100+17.15 грн
500+12.15 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 15272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.44 грн
100+18.89 грн
500+13.46 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+20.48 грн
500+14.42 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
6000+10.07 грн
9000+9.59 грн
15000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.00 грн
599+23.63 грн
1000+20.59 грн
3000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3
Код товару: 180745
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 88314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.43 грн
500+15.77 грн
1500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2312CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
на замовлення 88314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.90 грн
50+34.95 грн
100+22.43 грн
500+15.77 грн
1500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.87 грн
13+34.38 грн
15+29.94 грн
100+18.37 грн
500+13.17 грн
1000+11.41 грн
3000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2312CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-TI-GE3VishayN-MOSFET 20V 6A 31.8mΩ 2.1W SI2312CDS-T1-GE3 Vishay TSI2312cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312DSVISHAY
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312DS-T1VISHAYSOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312DS-T1-E3
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2313
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2313DS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2313DS-T1VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314SIAISOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314DS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314DS-T1-E3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 58396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.61 грн
100+32.01 грн
500+23.34 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]