Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP17N50LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 64A; 220W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 0.32Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 220W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP17N50LPBFIR09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP17N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP17N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP17N50LSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60L
Код товару: 24841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60L
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBFIR
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP21N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60PBFIRTO-247
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50
Код товару: 184410
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50AN-кан. MOSFET 500V, 22A, 0.23Ом, 277Вт, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50ASiliconixN-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+186.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50A
Код товару: 33419
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50AVishayN-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+207.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.90 грн
25+355.15 грн
50+324.16 грн
100+279.75 грн
500+236.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFIRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.64 грн
25+321.94 грн
50+318.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF
Код товару: 45108
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFN-кан. MOSFET 500V, 22A, 0.23Ом, 277Вт, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.75 грн
50+301.24 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60C3IRTO-247
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60C3PBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60C3PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60K
Код товару: 149454
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KIRTO-247
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBF
Код товару: 190283
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+250.00 грн
10+232.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 22 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3570 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 13 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBF
Код товару: 35348
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
  • 10 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+280.00 грн
10+259.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3Vishay SiliconixIRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3 IRFP22N60KPBF N-кан. MOSFET 600V, 22A, 0.28Ом, 370Вт, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LIRTO-247
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50L?94-3257?IRTO-247
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBF
Код товару: 171515
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+635.79 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP23N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.235 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBF
Код товару: 25263
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+158.00 грн
10+147.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFIRFP23N50LPBF IRFP23N50L MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 120mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP240; IRFP240 JSMICRO TIRFP240 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 120mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP240; IRFP240 JSMICRO TIRFP240 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240OSEN200V 18A 130m?@10V,7.5A 130W 4V@250uA 1 N-Channel TO-247 MOSFETs IRFP240; IRFP240-JSM; IRFP240 TIRFP240 c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240N_R4942onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF
Код товару: 24070
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+98.00 грн
10+91.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF
Код товару: 188578
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 8 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+98.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, P=150W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 200V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 437-446 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF
Код товару: 108397
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+57.50 грн
10+55.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF (TO-247AC, Vishay)
Код товару: 148842
2 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
  • 12 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+88.00 грн
10+79.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP243Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+170.42 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP243HARRISIRFP243
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+263.42 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244SiliconixN-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.36 грн
10+273.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBF
Код товару: 37257
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 250V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.96 грн
25+253.21 грн
50+229.73 грн
100+197.06 грн
500+164.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.47 грн
50+284.50 грн
53+267.38 грн
100+240.05 грн
125+217.56 грн
250+196.44 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.44 грн
10+172.69 грн
25+157.45 грн
50+147.29 грн
100+137.13 грн
125+134.60 грн
250+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+435.36 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP245Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+121.35 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP245HARRISIRFP245
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP246HARRISIRFP246
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
500+154.06 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP246HARRISIRFP246
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP246Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+126.90 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]