Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP22N50APBF
Код товару: 45108
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60C3IRTO-247
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60C3PBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60C3PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60K
Код товару: 149454
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KIRTO-247
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBF
Код товару: 190283
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+250.00 грн
10+232.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 22 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3570 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 13 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBF
Код товару: 35348
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 22 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
  • 10 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+280.00 грн
10+259.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3Vishay SiliconixIRFP22N60KPBF : SiHFP22N60K-E3 IRFP22N60KPBF N-кан. MOSFET 600V, 22A, 0.28Ом, 370Вт, TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LIRTO-247
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50L?94-3257?IRTO-247
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP23N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.235 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBF
Код товару: 25263
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/26
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 11 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+158.00 грн
10+147.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 500V 23A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+635.79 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFIRFP23N50LPBF IRFP23N50L MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBF
Код товару: 171515
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 23 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3600/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP23N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240OSEN200V 18A 130m?@10V,7.5A 130W 4V@250uA 1 N-Channel TO-247 MOSFETs IRFP240; IRFP240-JSM; IRFP240 TIRFP240 c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFP240 TIRFP240
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 120mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP240; IRFP240 JSMICRO TIRFP240 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 120mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP240; IRFP240 JSMICRO TIRFP240 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240N_R4942onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF
Код товару: 24070
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+98.00 грн
10+91.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 200V 20A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF
Код товару: 108397
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+57.50 грн
10+55.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF
Код товару: 188578
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
  • 10 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+98.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=20A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.18 R, P=150W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP240PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF (TO-247AC, Vishay)
Код товару: 148842
2 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 32 шт
  • 21 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+88.00 грн
10+79.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP243HARRISIRFP243
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+263.42 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP243Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+168.46 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244SiliconixN-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.25 грн
10+153.97 грн
25+139.74 грн
50+131.37 грн
100+122.17 грн
125+119.66 грн
250+112.97 грн
500+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+436.64 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 250V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+341.18 грн
49+293.77 грн
54+266.04 грн
100+216.93 грн
250+195.21 грн
500+178.36 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBF
Код товару: 37257
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.18 грн
25+245.21 грн
100+203.37 грн
500+159.42 грн
1000+149.33 грн
2000+144.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP245Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+118.21 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP245HARRISIRFP245
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP246Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP246HARRISIRFP246
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
500+154.06 грн
1000+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP246HARRISIRFP246
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.46 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250SiliconixN-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+142.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
Код товару: 171437
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250IXYSMOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250SiliconixN-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+142.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 (IRFP250PBF)
Код товару: 7938
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 51 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+72.00 грн
10+65.00 грн
100+58.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250A
Код товару: 46979
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250BONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MInfineonN-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.08 грн
25+172.35 грн
100+139.19 грн
500+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.54 грн
98+145.34 грн
151+93.61 грн
500+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.26 грн
5+130.54 грн
10+109.62 грн
25+88.70 грн
50+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.54 грн
25+118.09 грн
100+95.36 грн
500+72.40 грн
1000+66.91 грн
2000+62.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInternational RectifierN-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250N IR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.49 грн
10+162.04 грн
100+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+109.18 грн
800+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF
Код товару: 40169
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
  • 23 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 25.07.2026
1+75.00 грн
10+69.00 грн
100+62.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+267.49 грн
88+162.04 грн
129+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]