Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 136550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Код товару: 122019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+120.91 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUonsemi / FairchildMOSFET HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
50+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 16054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90Consemi / FairchildMOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 2.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF90N10V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF90N10V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+186.01 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N08LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25FAIRCHILDFQPF9N25
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25Consemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 549 шт:
термін постачання 64-73 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUFairchild SemiconductorDescription: 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 42981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N25CRDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUFAIRCHILDFQPF9N25CRDTU
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUFAIRCHILDFQPF9N25CRDTU
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
1000+58.16 грн
10000+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/250V/9A/QFET
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTUonsemiMOSFETs 250V 8.8A N-Chan
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTUFAIRCHILDFQPF9N25CYDTU
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+62.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N30FAIRCHILDFQPF9N30
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.31 грн
500+93.88 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50FAIRCHILDFQPF9N50
на замовлення 34950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 35450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50FAIRCHILDFQPF9N50
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 404491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50C(PBF)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50C(мікросхема)
Код товару: 60160
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 100880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.68 грн
500+102.31 грн
1000+94.35 грн
10000+81.11 грн
100000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF
Код товару: 94298
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 101980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.68 грн
500+102.31 грн
1000+94.35 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CFonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CTFAIRCHILDFQPF9N50CT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+107.77 грн
500+97.01 грн
1000+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 549940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+84.08 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CTFAIRCHILDFQPF9N50CT
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+107.77 грн
500+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CTFAIRCHILDFQPF9N50CT
на замовлення 542000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+107.77 грн
500+97.01 грн
1000+89.46 грн
10000+76.91 грн
100000+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50CT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50YDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50YDTUFAIRCHILDFQPF9N50YDTU
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.01 грн
500+119.04 грн
1000+109.83 грн
10000+94.42 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50YDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90Consemi / FairchildMOSFETs N-CH/900V/8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90ConsemiMOSFETs N-CH/900V/8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CFAIRCHIL09+ QFP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90C транзистор
Код товару: 44576
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 54250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.17 грн
100+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 35050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
10+227.42 грн
50+178.57 грн
100+152.84 грн
500+127.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+297.29 грн
100+271.78 грн
250+266.23 грн
500+212.87 грн
1000+196.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT
Код товару: 148086
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTONS/FAIMOSFET N-CH 900V 8A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+339.59 грн
5+221.40 грн
10+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+189.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTonsemiMOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 35050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25
Код товару: 51667
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25onsemi / FairchildMOSFETs 250V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+103.41 грн
100+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25-TonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25YDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25YDTUON Semiconductor / FairchildMOSFET QF -250V 620MOHM TO220FYD
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9P25YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.