Продукція > FQP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF7N65CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.11 грн
500+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUonsemiMOSFETs 650V N-Ch Advance Q-FET C-Series
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.70 грн
10+116.18 грн
100+60.55 грн
500+58.32 грн
800+47.24 грн
2400+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+94.11 грн
500+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU-TonsemiDescription: FQPF7N65CYDTU-T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65C_F105onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+117.77 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+136.72 грн
500+122.58 грн
1000+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80C
Код товару: 173951
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+136.72 грн
500+122.58 грн
1000+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N90C
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7P06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 2.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 14827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.62 грн
10+111.36 грн
100+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
50+81.59 грн
100+73.37 грн
500+55.29 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20onsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.83 грн
10+86.53 грн
100+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20onsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.83 грн
10+73.71 грн
100+61.10 грн
500+55.39 грн
1000+51.28 грн
2500+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.39 грн
2000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 72307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
10000+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.17 грн
10+233.96 грн
25+197.87 грн
100+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+163.83 грн
1000+154.40 грн
10000+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60ConsemiMOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
1000+92.15 грн
10000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CONS/FAIMOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
1000+92.15 грн
10000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
1000+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
3 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild/ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, V: 600 V
Струм стоку Idd, A: 7,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 92 шт
  • 84 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+111.02 грн
500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220FFSC09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C/FSCFSC08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.68 грн
50+90.38 грн
100+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.33 грн
10+164.25 грн
25+138.65 грн
100+114.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N60CFT - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.41 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N60CYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C; FQPF8N80C TFQPF8n80c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80ConsemiMOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Код товару: 122019
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
500+139.08 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
50+110.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUonsemi / FairchildMOSFET HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90Consemi / FairchildMOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.90 грн
10+186.69 грн
25+152.58 грн
100+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 16054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 2.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF90N10V2ON SemiconductorFQPF90N10V2
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF90N10V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+186.01 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF90N10V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N08LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25FAIRCHILDFQPF9N25
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25Consemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 549 шт:
термін постачання 64-73 дні (днів)
3+120.30 грн
10+106.56 грн
100+72.46 грн
500+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUFAIRCHILDFQPF9N25CRDTU
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N25CRDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUFairchild SemiconductorDescription: 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 42981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CRDTUFAIRCHILDFQPF9N25CRDTU
на замовлення 42400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+63.07 грн
1000+58.16 грн
10000+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/250V/9A/QFET
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.18 грн
10+111.37 грн
100+75.25 грн
500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]