Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP50R280CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R280CE | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP50R280CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R299CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R299CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon Technologies | Description: COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon technologies | на замовлення 258 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP50R350CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R350CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.9A Power dissipation: 73W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CP | INF | TO-220 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | Description: IPP50R399 - 500V COOLMOS N-CHANN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 9A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R500CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 7.6A TO220-3 CoolMOS CE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R500CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R500CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | на замовлення 8144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R520CP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R520CP | INF | TO-220 | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 7.1A TO220-3 | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 9318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP530N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3 G | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 60mΩ Drain current: 25A Power dissipation: 136W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R016CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 135 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R022S7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 Код товару: 187155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V | на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

