Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP50CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50N10S3L-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 50A TO220-3 OptiMOS-T | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50N10S3L16AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 50 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS T Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0131 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50N12S3LAKSA1 | Infineon Technologies | Description: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CP | INFINEON | 09+ QFP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 188891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 192W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Power dissipation: 192W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R190CE | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R190CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.5A Power dissipation: 127W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 669 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 18159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 25116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 25110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3 | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 127W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R199CP | Infineon Technologies | Description: IPP50R199 - 500V COOLMOS N-CHANN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 177 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CP | Infineon technologies | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 184 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R250CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 550V 13A TO220-3 | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R250CPXKSA1 Код товару: 185293
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP50R280CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R280CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R299CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R299CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R299CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 CoolMOS CP | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R350CP | Infineon Technologies | Description: COOLMOS 10A, 500V N-CHANNEL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R350CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R350CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R380CE | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 550V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 9.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 0.38Ω | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 14.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R399CP | INF | TO-220 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | Description: IPP50R399 - 500V COOLMOS N-CHANN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9A TO220-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP50R399CPHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

