Продукція > RN2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2501(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2501(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2501(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
18+18.66 грн
100+10.29 грн
500+6.49 грн
1000+5.66 грн
3000+4.90 грн
6000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2501(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
12+25.88 грн
100+14.66 грн
500+9.11 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2502TE85L
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2503
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2503(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2503(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2503(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
12+26.62 грн
100+15.09 грн
500+9.38 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504TOSHSOT23/5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
19+17.23 грн
100+7.11 грн
1000+6.28 грн
3000+4.69 грн
9000+3.24 грн
24000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
12+26.62 грн
100+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504YDTOSHIBASOT-153
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2505TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2505TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2505TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2505TE85LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506TOSHIBA
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
31+9.72 грн
100+6.51 грн
500+4.68 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507TOSHIBA
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
12+25.05 грн
100+14.20 грн
500+8.83 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
16+20.56 грн
100+8.97 грн
1000+6.70 грн
3000+3.87 грн
9000+3.52 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507/YHTOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.78 грн
100+9.92 грн
500+6.92 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
15+21.59 грн
100+8.22 грн
1000+5.18 грн
3000+3.52 грн
9000+3.31 грн
45000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511TOSHIBA
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511TE85R
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN25E-I/RMMicrochip TechnologyDescription: MODULE BLUETOOTH RS485 W/SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN25S-I/RMMicrochip TechnologyDescription: MODULE BLUETOOTH RS485 W/ANT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2601TOSHIBA
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2601(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.38 грн
100+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2601(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602TOSHIBA
на замовлення 21700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602(YB1W)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602TE85L
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603TOSHIBA
на замовлення 20700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SM6
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F)
Код товару: 173996
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.22 грн
25+13.18 грн
100+5.94 грн
1000+5.04 грн
3000+4.14 грн
9000+3.31 грн
24000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.26 грн
100+9.58 грн
500+6.68 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603TE85L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2604(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605TSOHIBASOT-553
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.22 грн
25+13.18 грн
100+5.94 грн
1000+5.32 грн
3000+3.87 грн
24000+3.31 грн
45000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.93 грн
100+10.00 грн
500+6.98 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605-YETOS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605TE85L
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.30 грн
100+10.22 грн
500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2607TOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2607(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2607(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2608(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.93 грн
100+10.00 грн
500+6.98 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2608(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2608(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2610TOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2610(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
19+15.78 грн
100+9.94 грн
500+6.94 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2610(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2610TE85R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2611TOSHIBA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN262CST2RRohm SemiconductorDescription: RF DIODE PIN 30V 100MW VMN2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN262CST2RROHM SemiconductorPIN Diodes 30V; 100mA PIN Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN262CST2R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN262GT2RROHM SemiconductorPIN Diodes 30V; 100mA PIN Diode
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN262GT2RRohm SemiconductorDescription: RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN262STE61Rohm SemiconductorDescription: RF DIODE PIN SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701TOSHIBA
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.95 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.59 грн
32+10.08 грн
100+5.52 грн
500+4.00 грн
1000+3.59 грн
3000+2.76 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
12+26.62 грн
100+15.09 грн
500+9.38 грн
1000+7.19 грн
2000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LFToshibaDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.95 грн
500+4.09 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.44 грн
73+11.03 грн
117+6.91 грн
500+4.70 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF(TToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 5-Pin USV T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1277+11.10 грн
1598+8.87 грн
1924+7.37 грн
2400+5.70 грн
2738+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 1277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]