Продукція > STL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL26N30M8 | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V | на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL26N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26N60DM6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26N60DM6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL26N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.215 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL26N65DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 206mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26N65DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26N65DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL26NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL26NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL26NM60N | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 60nC Pulsed drain current: 76A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL270N6LF7 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL270N6LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 268 A, 0.0013 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 268A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL270N6LF7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel logic level 60 V, 1.3 mOhm max., 268 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL283 | Belden Inc. | Description: 909283 CABLE Length: 328.1' (100.0m) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL283 | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables 909283 CABLE(1PC=100 METERS) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL285N4F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL285N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL285N4F7AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL287N4F7AG | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V PWRFLAT 8X8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL287N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL28N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 4-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60DM2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60M2 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 72A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.140 Ohm typ 19 A MDmesh M2 Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL28NF3LL | ST | 09+ | на замовлення 403 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL295/100 | Lumberg Automation | Sensor Cables / Actuator Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL295/500 | Lumberg Automation | Sensor Cables / Actuator Cables | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E1-53 | Carling Technologies | Toggle Switches 2-pole, (ON) - OFF - (ON), 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with .250 Tab (Q.C.) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2E1-53 | Carling Technologies | Switch Toggle (ON) OFF (ON) DPDT Bat Lever Quick Conn 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2E1-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Toggle Switches STL2E1-53/HDW ASSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E1-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: Mom-Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Part Status: Active Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E1-58 | Carling Technologies | Switch Toggle (ON) OFF (ON) DPDT Bat Lever Quick Conn 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive Bulk | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2E1-58 | Carling Technologies | Toggle Switches 16A 12/24VDC 2P (ON)OFF(ON) QC IP68 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2E4-53 | Carling Technologies | Toggle Switches 2-pole, (ON) - OFF - (ON), 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2E4-53 | Carling Technologies | Switch Toggle (ON) OFF (ON) DPDT Bat Lever Screw 16A 24VDC Panel Mount with Threads Automotive | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2E4-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: Mom-Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Screw Terminal Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Part Status: Active Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E4-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: Mom-Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Screw Terminal Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E4-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Toggle Switches STL2E4-53/HDW ASSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E4-58 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: Mom-Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Screw Terminal Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Part Status: Active Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2E4-58 | Carling Technologies | Toggle Switches STL2E4-58 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2H-15-21-1-C | TE Connectivity | STL2H-15-21-1-C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2H-19-25-1-C | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine | Description: STL2H-19-25-1-C Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2H-23-25-1-C | TE Connectivity | STL2H-23-25-1-C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2H-D09-13-1-B-LP | TE Connectivity | STL2H-D09-13-1-B-LP | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2H-D17-21-1-C-LP | TE Connectivity | Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters STL2H-D17-21-1-C-LP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected | на замовлення 5423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V | на замовлення 3444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL2N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL300N4F8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL300N4LF8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL300N4LF8 | STMicroelectronics | Description: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL300N4LF8 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL300N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL300N4LF8 | STMicroelectronics | Description: POWER FLAT 8L 6X5X1 P1.27 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL300N4LF8 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL300N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL305N4F8AG | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL305N4LF8AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL305N4LF8AG | STMicroelectronics | MOSFETs Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8 | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL305N4LF8AG | STMicroelectronics | Description: POWERFLAT 5X6 WF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL305N4LF8AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL305N4LF8AG | STMicroelectronics | Description: POWERFLAT 5X6 WF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL3065 | ST | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STL30N10F7 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL30N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V | на замовлення 4101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30N10F7 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 120A; 4.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 4.8W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL30N10F7 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII | на замовлення 5705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30NF3LL | ST | BGA | на замовлення 2155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | на замовлення 9338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 30 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET | на замовлення 6422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL30P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 A, 0.024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL30P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin Power Flat T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5 | на замовлення 2921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL31N65M5 | STMicroelectronics | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 60A; 125W Case: PowerFLAT 8x8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 162mΩ Drain current: 15A Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL31N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL31N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL31N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.162 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT HV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MDmesh V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL31N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL320N4F8 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | на замовлення 5424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 40V 360A 8-Pin Power Flat EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMicroelectronics | Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STL320N4LF8 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 40V 360A 8-Pin Power Flat EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

