Продукція > Si1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1416EDH-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70
tariffCode: 85364190
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+26.34 грн
100+12.97 грн
500+11.56 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A
на замовлення 29198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 36957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
50+20.42 грн
100+16.84 грн
500+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1416EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
на замовлення 7582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.80 грн
9000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1416EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 504901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417DHVISHAY
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417DH-T1-E3VISHAY04+NOP
на замовлення 44846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDHVISHAY
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1VISHAY05+NOP
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1(BBW)
на замовлення 637365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-E3VISHAY
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1419DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 4A N-CH MOSFET
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.53 грн
100+15.59 грн
500+11.02 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SC70 N CHAN 20V
на замовлення 49319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.53 грн
100+15.59 грн
500+11.02 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 24454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1424EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1425DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 67375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.53 грн
100+15.59 грн
500+11.02 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si1427EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.53 грн
100+15.59 грн
500+11.02 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1427EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1427EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si1428EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1428EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30-V (D-S)
на замовлення 8573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1431DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1433DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI14410DY-T1SI99 SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 20V 4A
на замовлення 22670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si1441EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1939 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 12564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1441EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 N-CH 12V 4A
на замовлення 97538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+20.08 грн
100+9.73 грн
500+8.81 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
6000+7.81 грн
9000+7.42 грн
15000+6.55 грн
21000+6.30 грн
30000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 141311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
на замовлення 59892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.62 грн
100+15.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SOT363
On-state resistance: 30mΩ
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
18+23.82 грн
21+20.88 грн
50+15.10 грн
100+13.25 грн
500+10.15 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1442DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 4 A, 0.02 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 30V 4A
на замовлення 94761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
11+28.91 грн
100+19.48 грн
500+14.27 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 35520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
On-state resistance: 54mΩ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
15+29.86 грн
16+26.59 грн
50+20.80 грн
100+18.79 грн
500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 29360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 64449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.32 грн
50+22.92 грн
100+18.94 грн
500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC70-6
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
9000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1450DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.80 грн
100+30.60 грн
500+22.17 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.