Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC070N10NS5SCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC070N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 82 A, 6000 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA2Infineon TechnologiesBSC070N10NS5SCATMA2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA2Infineon TechnologiesDescription: BSC070N10NS5SCATMA2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LD GInfineonQFN
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LD GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGInfineon technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC072N03LDGATMA1 - BSC072N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N03LDGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.48 грн
153+93.18 грн
200+85.90 грн
500+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 19089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 6500 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 6500 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3990pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+75.39 грн
50+56.48 грн
100+47.28 грн
500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 40, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 7,20 мОм @ 37 A, 10 B , Ugs(th) = 3,8 B @ 36 мкА, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-7 Од
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.53 грн
10+122.17 грн
25+120.94 грн
50+115.46 грн
100+76.87 грн
250+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 10262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.18 грн
50+70.36 грн
100+59.10 грн
500+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N3SINFINEON
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.01 грн
10+286.81 грн
50+226.07 грн
100+193.79 грн
500+168.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1InfineonN-Channel 150V 114A TSON-8-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.68 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.71 грн
57+249.20 грн
58+246.64 грн
100+222.53 грн
250+191.78 грн
500+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.71 грн
10+249.20 грн
25+246.64 грн
100+222.53 грн
250+191.78 грн
500+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 114A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 114A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+270.51 грн
500+256.33 грн
1000+242.16 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+152.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.71 грн
194+73.14 грн
200+68.62 грн
1000+63.45 грн
2000+60.75 грн
5000+53.54 грн
10000+53.46 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.67 грн
25+44.33 грн
100+42.42 грн
250+38.96 грн
500+37.11 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.67 грн
320+44.33 грн
323+43.99 грн
325+42.08 грн
500+38.66 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+85.30 грн
500+76.77 грн
1000+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+103.65 грн
100+70.51 грн
500+52.85 грн
1000+48.57 грн
2000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.86 грн
30000+60.18 грн
45000+55.99 грн
60000+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.00 грн
108+132.35 грн
250+128.34 грн
500+120.39 грн
1000+108.74 грн
2500+102.09 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.30 грн
113+126.38 грн
250+121.32 грн
500+112.76 грн
1000+101.00 грн
2500+94.10 грн
5000+91.56 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3 G TBSC076n06ns3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 47020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+60.43 грн
237+60.00 грн
282+50.35 грн
284+48.18 грн
500+42.90 грн
1000+38.17 грн
3000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 32453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.59 грн
100+30.48 грн
500+22.10 грн
1000+20.00 грн
2000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 46970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.07 грн
10000+16.15 грн
15000+15.51 грн
25000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.83 грн
13+60.43 грн
25+60.00 грн
100+48.55 грн
250+44.61 грн
500+41.19 грн
1000+38.17 грн
3000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
на замовлення 34970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
на замовлення 34970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.18 грн
107+132.58 грн
108+131.54 грн
119+115.73 грн
250+106.82 грн
500+102.22 грн
1000+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+158.77 грн
50+122.22 грн
100+103.64 грн
500+84.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 120V 13.4/98A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.36 грн
112+127.58 грн
127+112.46 грн
500+102.97 грн
1000+82.60 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.18 грн
10+132.58 грн
25+131.54 грн
100+115.73 грн
250+106.82 грн
500+102.22 грн
1000+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSC GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 14A TDSON-8
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+30.66 грн
10000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.