Продукція > BSC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC074N15NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 8881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3 G | Infineon | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3G | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3 G TBSC076n06ns3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm | на замовлення 47030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 5887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 47142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | на замовлення 36316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon | на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | на замовлення 34970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 7639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | на замовлення 34970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 6075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm | на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 18289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm | на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A TDSON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V | на замовлення 15567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 14A TDSON-8 | на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCG | Infineon technologies | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 8635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03S | INF | 09+ | на замовлення 10822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 14.6A TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03SG | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | на замовлення 9619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03SG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 8-Pin TDSON EP | на замовлення 9619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03SG | infineon | 07+ | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03SG | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N03SG | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC079N03SG - BSC079N03 12V-300V NCHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N03SGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N10NS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | на замовлення 5105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N10NSG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V | на замовлення 4701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 8262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | на замовлення 4601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0803LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0803LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0803LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0803LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0803LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | на замовлення 20585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0804LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0804LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 33367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0804LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0805LS | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC0805LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSC0805LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |