Продукція > DMP

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMP3008SFGQ-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.1A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.1A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement

на замовлення 3220 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

5+	98.44 грн
10+	58.00 грн
100+	42.71 грн
500+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3008SFGQ-7

Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3008SFGQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

на замовлення 1383 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3

Diodes Incorporated

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K

на замовлення 9544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V

на замовлення 42615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.31 грн
10+	54.00 грн
100+	35.58 грн
500+	25.99 грн
1000+	23.60 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Trans MOSFET P-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Description: DIODES INC. - DMP3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0065 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.26 грн
5000+	20.70 грн
7500+	19.83 грн
12500+	17.70 грн
17500+	17.16 грн
25000+	16.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm

на замовлення 3755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 100372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.64 грн
10+	59.23 грн
100+	39.47 грн
500+	29.77 грн
1000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Trans MOSFET P-CH 30V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Diodes Incorporated

MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs

на замовлення 3528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMP3010LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 17 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm

на замовлення 3755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.54 грн
5000+	25.20 грн
7500+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPS

Diodes Incorporated

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V

на замовлення 72500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.92 грн
5000+	28.54 грн
7500+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V

на замовлення 74750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.27 грн
10+	71.42 грн
100+	47.72 грн
500+	35.24 грн
1000+	32.17 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2897500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.72 грн
5000+	30.18 грн
7500+	30.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324

на замовлення 1502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2897500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.71 грн
10+	74.94 грн
100+	50.20 грн
500+	37.15 грн
1000+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3010LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.26W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFK-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFK-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.89 грн
10+	46.52 грн
25+	39.04 грн
50+	32.23 грн
100+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.89 грн
10+	46.52 грн
25+	39.04 грн
50+	32.23 грн
100+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVW-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVW-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

на замовлення 1847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVWQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVWQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.22 грн
6000+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVWQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SFVWQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.96 грн
10+	61.10 грн
25+	51.42 грн
50+	42.63 грн
100+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SPDW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SPSW-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SSS-13

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

на замовлення 13435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.44 грн
10+	55.04 грн
100+	36.42 грн
500+	26.69 грн
1000+	24.28 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SSS-13

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.26 грн
5000+	20.73 грн
7500+	19.88 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3011SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K

на замовлення 2028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3012LPS-13

Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 70 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3012LPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3012LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.09 грн
10+	54.44 грн
100+	36.04 грн
500+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3012LPS-13

Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3012LPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3012SPSW-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFK-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFK-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFK-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFK-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Supplier Device Package: U-DFN2523-6

на замовлення 5488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.90 грн
10+	41.81 грн
100+	27.27 грн
500+	19.80 грн
1000+	17.91 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFK-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Supplier Device Package: U-DFN2523-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFK-7

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 14998 шт:

термін постачання 329-338 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

на замовлення 29461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.69 грн
10+	35.00 грн
100+	22.92 грн
500+	16.51 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.12 грн
6000+	11.98 грн
9000+	11.32 грн
15000+	10.34 грн
21000+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 38008 шт:

термін постачання 329-338 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 0.94W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940mW
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7 DMP3013SFV MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3013SFV-7 транзистор
Код товару: 214611

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3014SFDE-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K

на замовлення 15371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3014SFDE-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS-13

Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS-13

Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm

на замовлення 2397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.41 грн
5000+	24.45 грн
7500+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs P-Channel 2.5W

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS-13

Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm

на замовлення 2397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V

на замовлення 16099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.52 грн
10+	62.52 грн
100+	41.47 грн
500+	30.45 грн
1000+	27.72 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 174983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.71 грн
10+	75.09 грн
100+	50.31 грн
500+	37.23 грн
1000+	34.01 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 172500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.79 грн
5000+	30.25 грн
7500+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG

Diodes Incorporated

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG-13

Trans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

373+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 373 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG-13

Trans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

560+	25.34 грн

Мінімальне замовлення: 560 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMP3017SFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF

на замовлення 41368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.