Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3010LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2897500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.26W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.26W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6234 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.18W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2897500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 25V-30V P-Ch 36A 7.5Vgs 6324 | на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3010LPSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 36A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SFK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN | на замовлення 11898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 26810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SPSW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3011SSS-13 | Diodes Zetex | 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 13435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T and R 2.5K | на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 32A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3011SSS-13 | Diodes Zetex | 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3012LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.29W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3012LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3012LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.29W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3012LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.29W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC | на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3012SPSW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Supplier Device Package: U-DFN2523-6 | на замовлення 5488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFK-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V DFN2523-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Supplier Device Package: U-DFN2523-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 29461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V | на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3013SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 9500 µohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 940mW Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1674 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 DMP3013SFV | Diodes | MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3013SFV-7 транзистор Код товару: 214611
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMP3014SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K | на замовлення 15213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSS | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3015LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel 2.5W | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3015LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V | на замовлення 16099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss | на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3015LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 174983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3017SFG | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3017SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 11.5A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3017SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V P-Ch 0.94W 2246pF | на замовлення 41368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm | на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333 | на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm | на замовлення 11803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 25Mgs 2207pF 21.6nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 25Mgs 2207pF 21.6nC | на замовлення 4024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 31W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3017SFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 31W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFK-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 10.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFK-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFK-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP3018SFK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4414 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2523-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP3018SFK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

