Продукція > IPA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPA65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.74 грн
50+155.46 грн
100+146.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
50+161.48 грн
100+146.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C6Infineon
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7Infineon TechnologiesDescription: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+135.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.12 грн
50+134.47 грн
100+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.89 грн
108+131.06 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+168.56 грн
7000+154.78 грн
10500+144.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDInfineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 17.5A TO220FP CoolMOS CFD2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.89 грн
10+197.54 грн
25+192.82 грн
50+181.21 грн
100+162.82 грн
250+151.30 грн
500+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.89 грн
72+197.54 грн
74+192.82 грн
76+181.21 грн
100+162.82 грн
250+151.30 грн
500+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
50+135.51 грн
100+122.73 грн
500+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190DEXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R190DEXKSA1 - MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TC TO-220-3 TU
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190DEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6Infineon TechnologiesDescription: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.76 грн
10+163.54 грн
100+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1InfineonMOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.00 грн
50+66.04 грн
100+59.02 грн
500+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+137.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.77 грн
196+72.18 грн
500+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+67.00 грн
215+66.04 грн
240+59.03 грн
500+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
50+45.53 грн
100+40.56 грн
500+29.88 грн
1000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R1K5CEXKSA1 - IPA65R1K5 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.85 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7Infineon TechnologiesDescription: IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+122.58 грн
1000+115.21 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.83 грн
77+185.04 грн
100+173.26 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+109.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6Infineon
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.05 грн
91+155.44 грн
109+130.09 грн
500+99.16 грн
1000+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.61 грн
10+155.07 грн
100+129.78 грн
500+98.93 грн
1000+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6Infineon technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.41 грн
50+165.60 грн
100+148.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.78 грн
86+164.77 грн
100+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R280E6XKSA1 - IPA65R280 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET,
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.53 грн
50+114.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.06 грн
10+150.05 грн
50+115.35 грн
100+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
на замовлення 483 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]