Продукція > IPA

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPA65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.095 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	389.81 грн
10+	273.84 грн
100+	203.77 грн
500+	172.01 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.96 грн
50+	178.64 грн
100+	167.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPA65R095C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	333.43 грн
10+	192.92 грн
100+	156.02 грн
500+	131.86 грн

В кошику од. на суму грн.

IPA65R099C6

MOSFET N-Ch 700V 115A TO220FP-3

на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPA65R099C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFD

MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO220FP CoolMOS CFD2

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.14 грн
10+	346.93 грн
100+	246.45 грн
500+	243.00 грн
1000+	241.62 грн
2500+	240.24 грн
5000+	239.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	969.92 грн
17+	877.15 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFDXKSA1

Description: INFINEON - IPA65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	491.29 грн
10+	430.89 грн
25+	356.79 грн
100+	296.90 грн
500+	252.66 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.65 грн
50+	198.98 грн
100+	181.86 грн
500+	142.55 грн

В кошику од. на суму грн.

IPA65R110CFDXKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R125C7

Description: IPA65R125 - 650V AND 700V COOLMO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	210.47 грн

Мінімальне замовлення: 111 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R125C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	330.21 грн
10+	280.24 грн
25+	169.82 грн
100+	154.64 грн
250+	150.49 грн
500+	127.71 грн
1000+	123.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPA65R125C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	309.88 грн
50+	154.03 грн
100+	145.63 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R150CFD

MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	431.69 грн
10+	382.66 грн
100+	272.68 грн
500+	231.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPA65R150CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R150CFDXKSA1

MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R150CFDXKSA1

Description: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R150CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.70 грн
50+	136.07 грн
100+	123.53 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R150CFDXKSA2

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C6

MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C6

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.20 грн
10+	154.02 грн
100+	102.17 грн
500+	84.91 грн
1000+	74.56 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7

Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	129.70 грн

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	260.14 грн
10+	153.83 грн
100+	132.09 грн
500+	89.00 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	168.94 грн
7000+	155.12 грн
10500+	145.09 грн

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.09 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	135.58 грн

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.85 грн
50+	121.42 грн
100+	109.82 грн
500+	83.95 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.06 грн
10+	158.78 грн
100+	106.31 грн
500+	88.36 грн
1000+	82.15 грн
2500+	77.32 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	134.19 грн
108+	131.36 грн

Мінімальне замовлення: 106 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	181.91 грн

Мінімальне замовлення: 195 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFD

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220FP CoolMOS CFD2

на замовлення 299 шт:

термін постачання 721-730 дні (днів)

2+	309.27 грн
10+	270.72 грн
100+	193.30 грн
500+	164.99 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA1

Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.12 грн
10+	182.83 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.35 грн
10+	197.98 грн
25+	193.25 грн
50+	181.61 грн
100+	163.18 грн
250+	151.63 грн
500+	145.96 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	205.35 грн
72+	197.98 грн
74+	193.25 грн
76+	181.61 грн
100+	163.18 грн
250+	151.63 грн
500+	145.96 грн

Мінімальне замовлення: 70 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.95 грн
50+	127.23 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190CFDXKSA2

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190DEXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R190DEXKSA1 - MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TC TO-220-3 TU
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	186.85 грн

Мінімальне замовлення: 127 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190DEXKSA1

Description: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6

MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6

Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

2+	242.51 грн
10+	162.04 грн
100+	127.97 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R190E6XKSA1

Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.24 грн
10+	240.01 грн
100+	182.83 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

212+	67.15 грн
215+	66.19 грн
240+	59.16 грн
500+	45.00 грн

Мінімальне замовлення: 212 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

на замовлення 1451 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.41 грн
50+	45.11 грн
100+	40.19 грн
500+	29.60 грн
1000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.59 грн
15+	55.17 грн
100+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.15 грн
50+	66.19 грн
100+	59.15 грн
500+	45.00 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

MOSFETs CONSUMER

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 220000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	137.99 грн

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K0CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

162+	87.96 грн
196+	72.34 грн
500+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 162 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K5CE

MOSFETs CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K5CE

Infineon technologies

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K5CEXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

657+	53.97 грн
1000+	49.78 грн

Мінімальне замовлення: 657 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K5CEXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K5CEXKSA1

MOSFETs Y

на замовлення 178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.57 грн
10+	55.97 грн
100+	36.93 грн
500+	31.27 грн
1000+	25.47 грн
2500+	24.02 грн
5000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R1K5CEXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R1K5CEXKSA1 - IPA65R1K5 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 668 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7

Description: IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

213+	103.65 грн

Мінімальне замовлення: 213 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.57 грн
10+	146.87 грн
100+	98.03 грн
250+	89.74 грн
500+	75.25 грн
1000+	72.49 грн
2500+	71.11 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	230.34 грн
77+	185.46 грн
100+	173.64 грн

Мінімальне замовлення: 62 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	127.58 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	127.58 грн
500+	122.85 грн
1000+	115.47 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6+	112.31 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	89.41 грн

Мінімальне замовлення: 251 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.46 грн
10+	157.05 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	127.58 грн
500+	122.85 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	127.58 грн
500+	122.85 грн

Мінімальне замовлення: 278 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R225C7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.57 грн
10+	146.87 грн
100+	98.03 грн
250+	89.74 грн
500+	75.25 грн
1000+	72.49 грн
2500+	71.11 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6

MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

на замовлення 1423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.51 грн
10+	143.69 грн
100+	91.82 грн
500+	76.63 грн
1000+	67.10 грн
2500+	66.48 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.03 грн
10+	155.41 грн
100+	130.07 грн
500+	99.15 грн
1000+	88.51 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6XKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	192.48 грн
91+	155.78 грн
109+	130.38 грн
500+	99.38 грн
1000+	88.71 грн

Мінімальне замовлення: 74 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IPA65R280C6XKSA1