Продукція > IPA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+168.94 грн
7000+155.12 грн
10500+145.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
50+133.24 грн
100+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+135.58 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.19 грн
108+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.91 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 17.5A TO220FP CoolMOS CFD2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.35 грн
10+197.98 грн
25+193.25 грн
50+181.61 грн
100+163.18 грн
250+151.63 грн
500+145.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+205.35 грн
72+197.98 грн
74+193.25 грн
76+181.61 грн
100+163.18 грн
250+151.63 грн
500+145.96 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
50+134.27 грн
100+121.60 грн
500+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190DEXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R190DEXKSA1 - MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TC TO-220-3 TU
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190DEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6Infineon TechnologiesDescription: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1InfineonMOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.51 грн
10+162.04 грн
100+127.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.15 грн
50+66.19 грн
100+59.15 грн
500+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+137.99 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
50+45.11 грн
100+40.19 грн
500+29.60 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.96 грн
196+72.34 грн
500+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.2A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.23 грн
10+51.02 грн
20+45.37 грн
50+39.22 грн
100+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+67.15 грн
215+66.19 грн
240+59.16 грн
500+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.97 грн
1000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K5CEXKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R1K5CEXKSA1 - IPA65R1K5 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7Infineon TechnologiesDescription: IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+103.65 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+122.85 грн
1000+115.47 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.34 грн
77+185.46 грн
100+173.64 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+103.02 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.19 грн
67+213.24 грн
87+163.30 грн
100+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.36 грн
50+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.52 грн
10+216.08 грн
50+165.47 грн
100+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
10+148.68 грн
50+114.29 грн
100+96.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R280E6XKSA1 - IPA65R280 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET,
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
на замовлення 483 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
50+90.10 грн
100+81.22 грн
500+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA2Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310DEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.97 грн
10+114.67 грн
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 10.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.51 грн
1000+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.