Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.50 грн
10+358.05 грн
25+293.39 грн
100+251.97 грн
250+237.48 грн
500+224.36 грн
1000+190.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+563.04 грн
36+394.89 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+240.07 грн
1000+205.72 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.52 грн
10+359.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.97 грн
10+298.00 грн
100+278.67 грн
500+240.07 грн
1000+205.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
1000+284.68 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N08S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
1000+284.68 грн
10000+257.43 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+595.27 грн
25+569.70 грн
50+548.00 грн
100+510.49 грн
250+458.34 грн
500+428.04 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+721.03 грн
25+690.05 грн
50+663.76 грн
100+618.34 грн
250+555.17 грн
500+518.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.01 грн
10+328.67 грн
100+210.55 грн
500+190.53 грн
1000+166.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+264.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.76 грн
10+330.26 грн
100+231.26 грн
500+205.72 грн
1000+182.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+287.04 грн
500+271.69 грн
1000+257.51 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+222.29 грн
500+192.20 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.13 грн
10+332.43 грн
100+239.98 грн
500+188.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+573.91 грн
36+394.50 грн
50+376.57 грн
100+258.37 грн
250+245.54 грн
500+219.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+590.85 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.89 грн
10+293.16 грн
100+222.29 грн
500+192.20 грн
1000+165.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+262.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+167.52 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+527.36 грн
39+368.90 грн
100+271.92 грн
500+220.97 грн
1000+202.61 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.34 грн
10+282.69 грн
100+204.57 грн
500+167.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.26 грн
10+328.67 грн
25+277.52 грн
100+231.26 грн
250+224.36 грн
500+216.77 грн
1000+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.12 грн
10+336.77 грн
100+243.31 грн
500+190.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+291.77 грн
500+276.41 грн
1000+261.06 грн
10000+236.92 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4-03Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.11 грн
10+184.18 грн
100+120.81 грн
500+107.69 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+160.65 грн
1000+151.20 грн
10000+137.83 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.92 грн
500+160.65 грн
1000+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.49 грн
10+220.70 грн
100+142.90 грн
500+119.43 грн
1000+111.14 грн
2000+104.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.72 грн
10+187.66 грн
100+137.72 грн
500+101.71 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.54 грн
59+240.89 грн
100+181.25 грн
500+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.67 грн
10+188.09 грн
100+132.37 грн
500+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.72 грн
500+101.71 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L-02
Код товару: 148550
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L-02Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L-02Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 22074 шт:
термін постачання 397-406 дні (днів)
1+430.89 грн
10+381.86 грн
100+271.99 грн
500+231.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.80 грн
200+154.81 грн
500+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
на замовлення 41716 шт:
термін постачання 431-440 дні (днів)
1+430.89 грн
10+381.86 грн
100+271.99 грн
500+231.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.74 грн
57+251.17 грн
100+180.37 грн
1000+154.39 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.53 грн
10+190.07 грн
50+178.80 грн
200+154.81 грн
500+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1
Код товару: 130964
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
10000+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
10000+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.56 грн
10+190.78 грн
100+134.35 грн
500+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.45 грн
2000+145.03 грн
3000+143.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.91 грн
200+127.14 грн
500+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+158.29 грн
1000+150.02 грн
10000+135.55 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+147.23 грн
2000+145.80 грн
3000+144.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.48 грн
2000+96.04 грн
3000+92.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.27 грн
10+194.91 грн
50+165.91 грн
200+127.14 грн
500+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.93 грн
10+224.67 грн
100+145.66 грн
500+121.50 грн
1000+112.53 грн
2000+106.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 180 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 18700 @ 25, Qg, нКл = 286 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 100 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 @ 410 мкА, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.43 грн
55+259.12 грн
100+187.94 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.29 грн
100+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+118.29 грн
100+69.72 грн
500+59.16 грн
1000+52.33 грн
2000+49.43 грн
5000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.8 A, 0.1486 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1486ohm
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.13 грн
10+111.95 грн
100+74.82 грн
500+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB19DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.8 A, 0.1486 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1486ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1486ohm
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.82 грн
500+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+146.08 грн
100+97.34 грн
250+89.05 грн
500+82.15 грн
2000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GInfineonMOSFET N-CH 150V 50A TO263-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+443.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GInfineon TechnologiesDescription: IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.02 грн
10+158.66 грн
100+132.89 грн
500+103.21 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.20 грн
100+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.79 грн
2000+115.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+165.58 грн
100+115.76 грн
500+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+141.75 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.18 грн
2000+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.29 грн
10+382.66 грн
100+269.23 грн
500+240.93 грн
1000+211.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GInfineon technologies
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+932.73 грн
25+889.67 грн
50+853.87 грн
100+794.35 грн
250+712.69 грн
500+665.44 грн
1000+649.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.20 грн
36+397.36 грн
50+382.22 грн
100+356.07 грн
250+319.70 грн
500+298.56 грн
1000+291.25 грн
2500+284.83 грн
5000+279.15 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]