Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB120N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.88 грн
10+114.12 грн
25+113.36 грн
100+108.57 грн
250+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+306.13 грн
70+202.59 грн
89+159.25 грн
114+119.99 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+147.33 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.66 грн
6000+124.88 грн
9000+116.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+163.83 грн
500+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+131.41 грн
100+102.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06N GINFTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 75A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4-03Infineon
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4-03Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
10+186.58 грн
100+131.19 грн
500+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+332.53 грн
62+231.73 грн
100+168.69 грн
500+135.42 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.97 грн
10+231.33 грн
100+168.40 грн
500+135.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.53 грн
10+211.86 грн
25+209.75 грн
50+181.78 грн
100+143.01 грн
250+135.89 грн
500+113.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+308.53 грн
67+211.86 грн
68+209.75 грн
76+181.78 грн
100+143.01 грн
250+135.89 грн
500+113.41 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+171.71 грн
50+132.83 грн
100+112.90 грн
500+93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.66 грн
52+276.69 грн
100+232.50 грн
500+205.00 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.97 грн
10+276.21 грн
100+232.10 грн
500+204.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+207.44 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.82 грн
10+445.21 грн
100+365.61 грн
500+313.85 грн
1000+256.84 грн
2000+243.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+588.83 грн
32+445.97 грн
100+366.23 грн
500+314.38 грн
1000+257.28 грн
2000+243.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
500+308.80 грн
1000+291.12 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
500+308.80 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
500+308.80 грн
1000+291.12 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
500+308.80 грн
1000+291.12 грн
10000+264.81 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+325.30 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.42 грн
10+228.32 грн
100+162.47 грн
500+126.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.66 грн
10+239.19 грн
50+186.90 грн
100+159.60 грн
500+132.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 32203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
10+182.13 грн
50+141.14 грн
100+120.05 грн
500+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 32203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.06 грн
3000+87.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 14051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4-04Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.26 грн
3000+79.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.