Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R022S7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A Mounting: THT Pulsed drain current: 375A Power dissipation: 390W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ S7 Drain current: 23A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: TO220 On-state resistance: 47mΩ | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 Код товару: 187155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C7 Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3 Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R040S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 245W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7 Код товару: 125680
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 162W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.06OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-123 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 164W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R065S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R070CFD7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 79000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R074C6 Код товару: 169466
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R074C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 57.7A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R074C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 57.7 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 480.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 480.8 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS C6 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 57.7A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 480.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.4mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 57.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R080P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Power dissipation: 129W Gate charge: 51nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 23A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R080P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R080P7 Код товару: 152121
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 12358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R080P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

