Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP50R399CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 9A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R500CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 7.6A TO220-3 CoolMOS CE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R500CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R500CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | на замовлення 8144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R520CPHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | на замовлення 9318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 7.1A TO220-3 | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP50R520CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP530N15N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP530N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 141 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP600N25N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R016CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V | на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 135 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 625W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor | на замовлення 5849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 Код товару: 187155
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R022S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ S7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 390W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 375A | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R022S7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R037CM8XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 227W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 126500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R040S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 245W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R040S7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7 Код товару: 125680
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 162W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

