Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN010-55D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.48 грн
500+78.53 грн
1000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+96.62 грн
50+72.80 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.10 грн
10+134.50 грн
100+101.48 грн
500+78.53 грн
1000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 84A
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+77.80 грн
100+49.43 грн
500+40.52 грн
1000+35.41 грн
1500+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 152W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.15 грн
10+303.63 грн
100+173.16 грн
500+113.68 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFXNexperiaMOSFET 100V N-CH NEXTPOWER IN LFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+148.84 грн
1000+140.57 грн
10000+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 8800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 152W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+113.68 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLCNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.72 грн
100+23.77 грн
500+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
917+38.66 грн
1000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 917 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115
Код товару: 204754
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 37A
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+35.88 грн
100+23.61 грн
500+18.57 грн
1000+15.81 грн
1500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.63 грн
6000+21.32 грн
9000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.10 грн
3000+14.14 грн
4500+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.86 грн
16+50.90 грн
100+37.53 грн
500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.11 грн
10+103.21 грн
100+60.54 грн
500+49.01 грн
1000+44.67 грн
1500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.45 грн
500+91.99 грн
1000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.00115 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00115ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.72 грн
10+202.96 грн
100+126.45 грн
500+91.99 грн
1000+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.55 грн
500+161.83 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.20 грн
3000+19.61 грн
4500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2191 pF @ 30 V
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.91 грн
100+32.12 грн
500+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+49.54 грн
100+37.76 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
10+50.69 грн
25+45.62 грн
100+42.30 грн
250+40.30 грн
500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+45.57 грн
100+31.34 грн
1000+23.89 грн
1500+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
12+69.02 грн
100+45.91 грн
500+35.52 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+76.16 грн
518+68.54 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.91 грн
500+35.52 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.11 грн
50+43.05 грн
100+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 83987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+76.16 грн
518+68.54 грн
1000+63.21 грн
10000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS,115NexperiaMOSFETs PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 13042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+100.03 грн
50+65.31 грн
100+58.13 грн
1500+40.04 грн
3000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 67 A, 0.011 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.25 грн
10+105.51 грн
100+73.85 грн
500+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-80YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+73.52 грн
100+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YL,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN012-100YL - N-CHANNEL 100V,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 85A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.16 грн
3000+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.67 грн
100+60.67 грн
500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.89 грн
3000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.45 грн
3000+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.34 грн
10+149.00 грн
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+78.18 грн
504+70.36 грн
1000+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.45 грн
3000+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.39 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+73.12 грн
250+68.14 грн
500+64.82 грн
1000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN012-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+95.27 грн
100+56.19 грн
500+44.73 грн
1000+39.14 грн
1500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.82 грн
3000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NXPMOSFET N-CH 100V 60A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+100.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
10+115.17 грн
100+78.93 грн
500+60.65 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 65A N-CH MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.33 грн
10+83.36 грн
100+51.09 грн
500+40.45 грн
1000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+88.70 грн
50+66.77 грн
100+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.93 грн
500+60.65 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1924+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]