Продукція > RN2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2702,LFToshibaDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2702,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF(TToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 5-Pin USV T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1277+11.08 грн
1598+8.85 грн
1924+7.35 грн
2400+5.68 грн
2738+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 1277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702=UMA9A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE
на замовлення 6840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F)TOSHIBASOT25/SOT353
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702TE85LFToshibaDigital Transistors BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.65 грн
8000+5.76 грн
12000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+25.59 грн
100+14.51 грн
500+9.01 грн
1000+6.91 грн
2000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704JETOSHIBA
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
12+25.29 грн
100+14.33 грн
500+8.91 грн
1000+6.83 грн
2000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705TOSHIBA09+
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705(TE85L,F)TOSHIBASOT25/SOT353
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2705,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2705,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JETOSHIBA
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+26.79 грн
100+15.20 грн
500+9.44 грн
1000+7.24 грн
2000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706TOSHIBA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2706,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2706,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706JE
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2706JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+26.87 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
12+26.87 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.12 грн
100+14.79 грн
500+9.19 грн
1000+7.05 грн
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710TOSHIBA
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710(TE85L,F)TOSHIBASOT25/SOT353
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710,LFToshibaDigital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.42 грн
100+6.46 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
12+25.29 грн
100+14.33 грн
500+8.91 грн
1000+6.83 грн
2000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711TOSHIBA
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(YM)TOS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNP X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNP X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
17+18.42 грн
100+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.12 грн
100+14.79 грн
500+9.19 грн
1000+7.05 грн
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JETOSHIBA
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.12 грн
100+14.79 грн
500+9.19 грн
1000+7.05 грн
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JETOSHIBA
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.12 грн
100+14.79 грн
500+9.19 грн
1000+7.05 грн
2000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2714,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2714,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2760
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901TOSHIBA
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.