Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP18N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.61 грн
50+110.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+110.96 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.77 грн
50+118.31 грн
100+106.94 грн
500+81.63 грн
1000+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Gate charge: 35nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.72 грн
10+107.89 грн
50+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+469.80 грн
37+384.01 грн
50+321.16 грн
100+280.81 грн
250+266.93 грн
500+241.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80
Код товару: 203647
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+210.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.58 грн
10+469.80 грн
25+384.01 грн
50+321.16 грн
100+280.81 грн
250+266.93 грн
500+241.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.42 грн
50+272.58 грн
100+261.13 грн
500+211.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+462.58 грн
37+380.27 грн
50+319.20 грн
100+279.48 грн
250+265.61 грн
500+241.20 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.92 грн
10+461.35 грн
25+379.27 грн
50+318.35 грн
100+278.75 грн
250+264.91 грн
500+240.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80STMMOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NQ11T
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP190-1580-01PRR2004
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP190N55LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.71 грн
50+289.05 грн
100+247.76 грн
500+206.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP190N55LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP190N55LF3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP190NF04
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP190NF04STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1950C00STP337
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP196248AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP196248BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19N06
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19N06FI
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19N06L
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19N06LFI
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19N06LFP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19N20STMicroelectronicsMOSFET N-channel 200V - 0.15Y - 15A - TO-220, POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NB20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NB20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NB20STTOP-220
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NB20FPSTTO-220F
на замовлення 96135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.22 грн
187+75.51 грн
500+59.60 грн
1000+52.54 грн
2000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STTrans MOSFET N-CH 200V 15A STP19NF20 TSTP19NF20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9.45A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.45A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.39 грн
50+61.15 грн
100+54.67 грн
500+40.63 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMSTP19NF20 (IRF640) ,N-кан. MOSFET 200V, 18A, 0.15Ом, 125Вт, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20
Код товару: 4750
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 15 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,16 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 78 шт
  • 45 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMSTP19NF20 IRF640FP MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.52 грн
10+83.99 грн
100+75.30 грн
500+57.30 грн
1000+48.51 грн
2000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NF20STMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.67 грн
50+164.63 грн
100+149.93 грн
500+116.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM65N
на замовлення 18738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1N105K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1N105K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.46 грн
14+55.26 грн
100+49.67 грн
500+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1N60
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2-0000000000Measurement SpecialtiesThick Film Resistors - SMD WIND TUNNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2-0000000000TE ConnectivityRetaining Spring Pliers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP2-0000000000TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: RETAINING SPRING PLIERS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2000QFPSUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2001
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2001QST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2001QFPSUN
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20020FPSUNQFP
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20020FP100-4156-05QFP240
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QST
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QFPSUN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2002QFP/100-4156-05
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2003QFPN/A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200GX
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 176.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.10 грн
50+70.48 грн
100+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LLSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.85 грн
10+81.86 грн
50+70.33 грн
100+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N4F3
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N6F3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]