Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK15J50D
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)ToshibaMOSFETs TO3P 500V 15A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: SC-65
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(S1V,E,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(F)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(S1TET,F)ToshibaAptiv TERM DC HARN-SIDE WELD (PROTO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(SANKEN,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.68 грн
10+89.77 грн
100+60.94 грн
500+45.59 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshibaMOSFETs 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.64 грн
216+65.56 грн
243+58.25 грн
270+50.68 грн
500+43.97 грн
1000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+55.00 грн
100+36.39 грн
500+26.67 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15X60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16031AM-XKOREA05+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16031AM1TL(TK16031AMITL)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16031AMTL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 16
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1ToshibaMOSFET 60V N-ch single Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1,LTJXToshibaTK160F10N1,LTJX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.89 грн
10+210.95 грн
100+149.88 грн
500+116.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L
Код товару: 191278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1LToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
на замовлення 19054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.95 грн
10+149.54 грн
100+108.82 грн
500+88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.27 грн
77+185.90 грн
100+179.59 грн
250+167.92 грн
500+151.26 грн
1000+141.65 грн
2500+138.53 грн
5000+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQToshibaMOSFETs PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 26372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.34 грн
10+184.69 грн
100+136.20 грн
500+113.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) Automotive AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.48 грн
63+224.59 грн
100+216.97 грн
250+202.88 грн
500+182.74 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1LQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1LQ(O-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16102MTLTOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16110MTOKO
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16111MTL
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16112MTCTOKO00+
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16140MTLTOKO
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16140MTL-G
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16213M (TC)Description: BOATING TAPE KIT
Tape Included: 17002, 2120, 220, 310, 3431, 4950, 838, EMB-45R, SJ3000, SJ3550, SJ3560
Tape Type: Marine
Quantity: Hooks (2), Rolls (2), Strips (44)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK165A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK165E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.165 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK165U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK165V65Z5,LQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8?8 PD=150W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16893M (TC)Description: PLANT SAFETY TAPE KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 450V 50W 2300pF 0.27
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A55DToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX
Код товару: 215227
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.80 грн
50+114.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.42 грн
90+158.15 грн
100+152.79 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.40 грн
3+198.16 грн
5+165.82 грн
10+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.12 грн
79+179.15 грн
100+158.41 грн
800+133.66 грн
1600+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.15 грн
105+135.78 грн
130+109.38 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX
Код товару: 175497
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5S4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5S4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16C60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16C60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.20 грн
10+155.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VXToshibaN-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]