Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK155E65Z,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.55 грн
67+212.15 грн
100+204.95 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E65ZS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.75 грн
50+127.92 грн
100+108.61 грн
500+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+378.34 грн
10+345.54 грн
25+323.51 грн
50+289.13 грн
100+241.98 грн
250+197.28 грн
500+189.34 грн
1000+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.34 грн
41+345.54 грн
44+323.51 грн
50+289.13 грн
100+241.98 грн
250+197.28 грн
500+189.34 грн
1000+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+372.39 грн
50+342.82 грн
100+306.78 грн
250+246.82 грн
500+220.29 грн
1000+201.97 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65ZRQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1560/CLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.60" CAP 1920 X 1080
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 15.60" (396.24mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25975.62 грн
5+24089.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK1560/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.60" CAP 1920 X 1080
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 15.60" (396.24mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30087.51 грн
5+28313.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK1560/T
Код товару: 211897
Додати до обраних Обраний товар
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK156SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 6m
Number of cores: 1
Version: mono
Cable length: 6m
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 0.55mm2
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2243.45 грн
5+1850.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK159SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 9m
Number of cores: 1
Version: mono
Cable length: 9m
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 0.55mm2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 15A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 106900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
700+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(S)ToshibaN-channel MOSFET Transistor, 15 A, 200 V, 3-Pin SC-67 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20DS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 500V 50W 2300pF 0.3
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.34 грн
10+195.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+195.79 грн
50+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.34 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 191692
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,X,S)ToshibaTK15A50D(STA4,X,S)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.58 грн
10+118.81 грн
25+107.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,X,S)ToshibaTK15A50D(STA4,X,S)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+513.24 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 34950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
10000+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15D60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60UToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 15A 600V 170W 950pF 0.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15H50C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15H50C(Q)ToshibaTK15H50C(Q)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50DToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: SC-65
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)ToshibaMOSFETs TO3P 500V 15A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D(S1V,E,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(F)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(S1TET,F)ToshibaAptiv TERM DC HARN-SIDE WELD (PROTO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J60U(SANKEN,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshibaMOSFETs 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.42 грн
50+74.48 грн
100+62.66 грн
500+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.70 грн
231+61.39 грн
256+55.44 грн
284+48.04 грн
500+42.02 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.70 грн
13+61.39 грн
25+55.44 грн
100+48.04 грн
500+42.02 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.23 грн
50+44.86 грн
100+37.43 грн
500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15S04N1LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15X60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16031AM-XKOREA05+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16031AM1TL(TK16031AMITL)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16031AMTL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 16
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1ToshibaMOSFET 60V N-ch single Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1,LTJXToshibaTK160F10N1,LTJX
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.82 грн
3000+113.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+223.11 грн
50+174.26 грн
100+148.78 грн
500+130.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L
Код товару: 191278
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1LToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
на замовлення 6729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
10+176.92 грн
50+136.90 грн
100+116.39 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.27 грн
77+185.90 грн
100+179.59 грн
250+167.92 грн
500+151.26 грн
1000+141.65 грн
2500+138.53 грн
5000+135.77 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK160F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.96 грн
10+217.53 грн
50+169.75 грн
100+144.85 грн
500+126.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]