Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR220NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.14 грн
75+96.75 грн
150+87.03 грн
525+70.59 грн
1050+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.65 грн
75+36.15 грн
150+31.93 грн
525+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 19462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.80 грн
10+51.79 грн
100+34.42 грн
500+30.65 грн
1000+27.02 грн
3000+24.44 грн
6000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.30 грн
12+72.91 грн
100+62.57 грн
500+43.12 грн
1000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.77 грн
392+36.24 грн
443+32.02 грн
525+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
75+66.78 грн
150+60.07 грн
525+47.42 грн
1050+43.54 грн
2025+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.68 грн
288+49.38 грн
356+39.90 грн
525+35.30 грн
1050+32.37 грн
2025+28.88 грн
5025+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.68 грн
75+49.38 грн
150+39.90 грн
525+35.30 грн
1050+32.37 грн
2025+28.88 грн
5025+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.65 грн
644+22.03 грн
670+21.16 грн
683+20.03 грн
1050+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.89 грн
12+37.91 грн
75+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+88.43 грн
100+59.90 грн
500+44.75 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 8741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+100.38 грн
100+58.93 грн
500+46.92 грн
1000+41.76 грн
3000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TFSAMSUNGSOT252/2.5
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRIRTO-252
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.83 грн
10+62.39 грн
100+35.40 грн
500+27.23 грн
1000+24.65 грн
3000+22.34 грн
6000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.14 грн
10+136.56 грн
100+92.51 грн
500+71.02 грн
1000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+94.26 грн
100+63.86 грн
500+47.71 грн
1000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1146+12.37 грн
1165+12.17 грн
1183+11.98 грн
1203+11.36 грн
1223+10.35 грн
1244+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 1146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 14507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.40 грн
10+94.26 грн
100+63.86 грн
500+47.71 грн
1000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 4.8 Amp
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.79 грн
10+61.19 грн
100+37.92 грн
500+30.65 грн
1000+26.26 грн
2000+23.74 грн
4000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.74 грн
448+31.70 грн
451+31.43 грн
455+30.04 грн
500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.57 грн
4000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.80 грн
4000+40.18 грн
6000+38.67 грн
10000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.90 грн
24+31.74 грн
25+31.70 грн
100+30.31 грн
250+27.82 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.83 грн
12+68.35 грн
100+46.11 грн
500+33.97 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.74 грн
4000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.11 грн
500+33.97 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+88.43 грн
100+59.90 грн
500+44.75 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 20792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+100.38 грн
100+58.93 грн
500+46.92 грн
1000+43.08 грн
2000+39.87 грн
4000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRR
Код товару: 29165
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.83 грн
10+62.39 грн
100+35.40 грн
500+27.23 грн
1000+24.65 грн
3000+24.58 грн
6000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+88.43 грн
100+59.90 грн
500+44.75 грн
1000+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR221Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR222Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2229AHarris CorporationDescription: STANDARD GATE DEVICE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224IRTO-252 06+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR224PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224BTM_TC002onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 42
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.10 грн
19+43.99 грн
100+34.87 грн
500+27.38 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.42 грн
10+90.74 грн
100+61.24 грн
500+51.88 грн
1000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF
Код товару: 135321
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 250 V
Idd,A: 3,8 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 260/14
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.50 грн
100+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+46.79 грн
325+43.62 грн
500+40.72 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.47 грн
75+74.93 грн
150+67.48 грн
525+53.40 грн
1050+49.10 грн
2025+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.72 грн
10+86.73 грн
100+58.52 грн
500+49.65 грн
1000+40.43 грн
3000+40.36 грн
6000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.28 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.61 грн
100+76.21 грн
500+45.60 грн
1000+41.34 грн
2000+40.57 грн
10000+39.52 грн
24000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.54 грн
25+55.42 грн
100+50.32 грн
250+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR224TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
10+105.09 грн
100+82.28 грн
500+62.94 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.42 грн
272+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.11 грн
10+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 250V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
10+86.39 грн
100+68.78 грн
500+54.61 грн
1000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.24 грн
10+92.35 грн
100+63.96 грн
250+59.00 грн
500+53.56 грн
1000+52.23 грн
2000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 250V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRRPBFVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307IR07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR23077
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0128
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBF
Код товару: 42438
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2190/50
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFInternational RectifierDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]