Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR214BTFFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.39 грн
75+54.82 грн
150+43.43 грн
525+34.55 грн
1050+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 250V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 11720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRIRTO-252
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.89 грн
10+79.45 грн
100+61.78 грн
500+49.15 грн
1000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 250V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET D-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR214TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR215IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220HARRISIRFR220
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.78 грн
500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220SiliconixN-MOSFET 4.8A 200V 42W 0.8Ω IRFR220 smd TIRFR220
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220Infineon / IR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220 /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 TRIAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220119Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220119HARRISIRFR220119
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2209AHarris CorporationDescription: MOSFET 200V 4.6A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2209AHARRISIRFR2209A
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+62.93 грн
1000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2209AS2463HARRISIRFR2209AS2463
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
561+62.93 грн
1000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 561 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2209AS2463Harris CorporationDescription: MOSFET TO252
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220AIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220BFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220BTMON SemiconductorIRFR220BTM
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220BTM_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220N
Код товару: 7943
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 4,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,6 Ом
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.50 грн
100+9.40 грн
1000+8.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NCPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBFInternational RectifierD-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBF
Код товару: 113425
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 600 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/15
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
  • 180 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+13.00 грн
10+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220N; IRFR220NTR; IRFR220N-GURT; IRFR220NTRL; IRFR220N; PTD4N20; DHD630; IRFR220NTR TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR220; IRFR220-BE3; IRFR220TRL; IRFR220TR; IRFR220TR-BE3; IRFR220TRR; IRFR220N; IRFR220NTRL; IRFR220NTR; IRFR220NTRR; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP00157598
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220N; IRFR220NTR; IRFR220N-GURT; IRFR220NTRL; IRFR220N; PTD4N20; DHD630; IRFR220NTR TIRFR220n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR220; IRFR220-BE3; IRFR220TRL; IRFR220TR; IRFR220TR-BE3; IRFR220TRR; IRFR220N; IRFR220NTRL; IRFR220NTR; IRFR220NTRR; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP00157598
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5A; 46W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR220; IRFR220-BE3; IRFR220TRL; IRFR220TR; IRFR220TR-BE3; IRFR220TRR; IRFR220N; IRFR220NTRL; IRFR220NTR; IRFR220NTRR; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP00157598
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.36 грн
12+67.40 грн
100+54.79 грн
500+37.71 грн
1000+34.18 грн
3000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR220NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR220NTRLPBF
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+45.85 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR220NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.36 грн
210+67.40 грн
258+54.79 грн
500+37.71 грн
1000+34.18 грн
3000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 13657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.06 грн
14+54.27 грн
100+37.58 грн
500+27.91 грн
1000+23.32 грн
2000+21.30 грн
4000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.11 грн
4000+15.99 грн
6000+15.25 грн
10000+13.53 грн
14000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF
Код товару: 104027
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.74 грн
4000+31.08 грн
6000+29.73 грн
10000+27.21 грн
14000+24.39 грн
20000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 600 мОм @ 2,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55 .. + 175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.03 грн
4000+22.99 грн
6000+21.53 грн
10000+20.04 грн
14000+17.93 грн
20000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.71 грн
10+53.97 грн
50+38.91 грн
100+33.72 грн
500+24.77 грн
1000+21.84 грн
2000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR220NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.39 грн
10+42.32 грн
100+27.56 грн
500+19.90 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.06 грн
261+54.27 грн
376+37.58 грн
500+27.91 грн
1000+23.32 грн
2000+21.30 грн
4000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBFInternational RectifierD-Pak,N-chanal power MOSFET 200V,5A,RDS=0.6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRPBFInfineon / IRMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.55 грн
644+21.93 грн
650+21.71 грн
657+20.73 грн
670+18.81 грн
677+17.88 грн
750+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.41 грн
288+49.16 грн
290+48.67 грн
293+46.46 грн
375+35.46 грн
525+33.71 грн
750+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 19428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.55 грн
75+21.93 грн
150+21.71 грн
225+20.73 грн
375+18.81 грн
525+17.88 грн
750+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.52 грн
12+35.90 грн
75+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.90 грн
75+55.63 грн
150+55.07 грн
225+52.56 грн
375+38.54 грн
525+36.63 грн
750+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+70.32 грн
150+60.92 грн
225+57.44 грн
375+50.25 грн
525+48.08 грн
750+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.65 грн
255+55.42 грн
258+54.87 грн
260+52.37 грн
375+38.40 грн
525+36.49 грн
750+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.41 грн
75+49.16 грн
150+48.67 грн
225+46.46 грн
375+35.46 грн
525+33.71 грн
750+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]