Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR220PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TFSAMSUNGSOT252/2.5
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRIRTO-252
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.72 грн
10+93.84 грн
100+63.58 грн
500+47.50 грн
1000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.20 грн
10+135.96 грн
100+92.09 грн
500+70.71 грн
1000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1146+12.32 грн
1165+12.12 грн
1183+11.93 грн
1203+11.31 грн
1223+10.31 грн
1244+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 1146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.42 грн
4000+40.74 грн
6000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.29 грн
4000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.76 грн
24+31.60 грн
25+31.56 грн
100+30.17 грн
250+27.69 грн
500+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 4.8 Amp
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 12397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.85 грн
10+95.57 грн
100+64.75 грн
500+48.38 грн
1000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.46 грн
4000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR220TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.60 грн
448+31.56 грн
451+31.29 грн
455+29.91 грн
500+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 20792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.12 грн
10+88.04 грн
100+59.63 грн
500+44.56 грн
1000+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRR
Код товару: 29165
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.12 грн
10+88.04 грн
100+59.63 грн
500+44.56 грн
1000+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR221Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR222Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2229AHarris CorporationDescription: STANDARD GATE DEVICE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224IRTO-252 06+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR224PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224BTM_TC002onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF
Код товару: 135321
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 3,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 260/14
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.50 грн
100+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR224PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 42
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.71 грн
75+74.60 грн
150+67.18 грн
525+53.16 грн
1050+48.88 грн
2025+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+46.58 грн
325+43.43 грн
500+40.54 грн
1000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.32 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.29 грн
25+55.18 грн
100+50.10 грн
250+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.36 грн
10+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.18 грн
272+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR224TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3.8 A, 1.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3.8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 250V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 250V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.93 грн
10+86.00 грн
100+68.47 грн
500+54.37 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224TRRPBFVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307IR07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR23077
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFInternational RectifierDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0128 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0128
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBF
Код товару: 42438
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 16 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2190/50
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+27.50 грн
10+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR2307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
на замовлення 7703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.23 грн
10+101.67 грн
100+69.12 грн
500+51.80 грн
1000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.38 грн
500+89.43 грн
1000+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 53A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR230BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR230BTM/NFP001
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR230BTM_AM002ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR234BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405
Код товару: 20910
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.94 грн
25+191.92 грн
100+143.94 грн
500+111.59 грн
1000+99.12 грн
2500+91.93 грн
5000+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBFInternational RectifierD-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBFInfineon (IRF)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF
Код товару: 39791
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 56 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,016 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2430/70
Монтаж: SMD
у наявності: 65 шт
  • 53 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+28.50 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 56 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2430 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 16 мОм @ 34 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]