Продукція > APT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 28 35 42 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT20M40BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M40BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 200V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M40BVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS 5 APT20M40
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M40BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 200V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M42HVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVFRG
Код товару: 110452
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 200V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVFRGMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS5 200 V 45 mOhm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVFRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVRGMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVRGMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS5
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1784.06 грн
25+1393.19 грн
50+1307.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45BVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET MOS5 APT20M45
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45SVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45SVFRGMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45SVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 200 V 45 mOhm TO-268
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.09 грн
100+698.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT20M45SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20N60BC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20N60BC3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20N60BC3GMicrochip TechnologyMicrochip Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20N60SC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20N60SC3GMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD120BMICROSEMITO-247/Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode APT20SCD120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD120BMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD120SMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD120SMicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD65KMicrosemi Power Products GroupDescription: DIODE SILICON 650V 32A TO220
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD65KMicrosemiSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Discrete RECTIFIER
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCD65KMicrosemi
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCE120BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 20A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT20SCE65BMicrosemi CorporationDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT21M100JMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT21M100JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F100JMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 1000 V 22 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F100JMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F120B2Microchip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 1200 V 22 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F120B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F120LMicrosemiDiscrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F120LMicrochip TechnologyMOSFET Modules FREDFET MOS8 1200 V 22 A TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F120LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F80BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 23A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.86 грн
100+543.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F80BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 800 V 22 A TO-247
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.44 грн
10+711.33 грн
25+597.14 грн
100+522.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F80BMicrosemiTrans MOSFET N-CH Si 800V 23A TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F80SMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 800 V 22 A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT22F80SMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT23F60BMicrochipMOSFET N-CH 600V 24A TO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT23F60BMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT23F60BMICROSEMITO247/POWER FREDFET - MOS8 APT23F60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT23F60BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS8 600 V 23 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT23F60SMicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT23F60SMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 24A D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT24F50BMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 8 500 V 24 A TO-247
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT24F50BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.70 грн
100+277.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT24F50BMICROSEMITO247/24 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT24F50
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT24F50SMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M120B2MicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M120B2Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M120LMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 24 A TO-264
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1199.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M120LMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M120LMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M80BMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 8 800 V 24 A TO-247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M80BMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M80SMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT24M80SMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT24MMCLRPRO POWERDescription: PRO POWER - APT24MMCLR - PACKAGING TAPE PP 24MM X 66M
tariffCode: 59061000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GF120JCU2Microsemi CorporationDescription: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GLQ120JCU2Microchip TechnologyIGBT Modules DOR CC0076
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GLQ120JCU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 45A 170W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.43 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 170 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120B2DQ2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120B2DQ2GMICROSEMITMAX/67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT25GN120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120BGMicrochipTrans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272mW TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120BGMICROSEMITO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT25GN120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120BGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120BGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 67A 272W TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120SGMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.87 грн
10+538.26 грн
25+454.24 грн
100+394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120SGMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120SGMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120SG/TRMicrochip TechnologyIGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268 Tape & Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120SG/TRMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
Switching Energy: -, 2.15J (off)
Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GN120SG/TRMicrochip TechnologyDescription: IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: D3Pak
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
Switching Energy: -, 2.15J (off)
Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BDF1
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BDQ1GMicrochip TechnologyDescription: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BDQ1GMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BDQ1GMICROSEMITO-247/POWER MOS 7 IGBT APT25GP120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BGMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BGMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 1200V 69A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (on), 438µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 417 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP120BSC15Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 7 SiC Combi 1200 V 25 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP90B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP90BDF1
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP90BDQ1GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 28 35 42 49 56 63 70 72  [ Наступна Сторінка >> ]