Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 11153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.86 грн
500+79.25 грн
1000+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSINFINEON0751+ SOP8
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGinfineon09+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.63 грн
14+55.76 грн
25+55.21 грн
100+40.28 грн
250+36.92 грн
500+29.64 грн
1000+24.92 грн
3000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 20521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGInfineon technologies
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
15+29.27 грн
100+27.17 грн
250+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.61 грн
13+59.70 грн
25+59.20 грн
100+41.18 грн
250+37.77 грн
500+30.57 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.18 грн
10000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 719667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.20 грн
332+42.70 грн
335+42.31 грн
500+34.40 грн
1000+24.47 грн
3000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.24 грн
500+86.80 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.29 грн
10+152.81 грн
100+116.24 грн
500+86.80 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 16A TDSON-8 OptiMOS P
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+148.77 грн
100+103.16 грн
500+78.52 грн
1000+72.64 грн
2000+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LS G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGInfineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.79 грн
10+164.47 грн
100+114.93 грн
500+87.98 грн
1000+81.59 грн
2000+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.69 грн
500+109.44 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.66 грн
10+227.71 грн
25+215.57 грн
100+173.58 грн
250+159.11 грн
500+131.65 грн
1000+115.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.03 грн
10+180.45 грн
100+144.69 грн
500+109.44 грн
1000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 9130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC084P03NS3EGATMA1 - BSC084P03 20V-250V PCHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
512+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GInfineon technologies
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.32 грн
500+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.67 грн
100+49.23 грн
500+36.37 грн
1000+33.20 грн
2000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
11+78.44 грн
100+51.78 грн
500+38.04 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC085N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC085N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
10+162.58 грн
100+113.36 грн
500+86.65 грн
1000+83.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.93 грн
500+99.63 грн
1000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.52 грн
10+147.12 грн
100+121.93 грн
500+99.63 грн
1000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS
Код товару: 181839
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSInfineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.47 грн
26+29.99 грн
100+28.47 грн
250+25.93 грн
500+24.48 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
50+40.24 грн
250+33.90 грн
1000+26.12 грн
3000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 25266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.25 грн
100+53.17 грн
500+39.41 грн
1000+36.03 грн
2000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+30.47 грн
472+29.99 грн
480+29.52 грн
488+28.00 грн
500+25.50 грн
1000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+39.22 грн
1000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.42 грн
250+32.19 грн
1000+26.49 грн
3000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.33 грн
10000+30.07 грн
15000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+42.71 грн
406+34.89 грн
419+33.76 грн
500+30.82 грн
1000+28.46 грн
2000+27.24 грн
5000+26.99 грн
10000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIInfineon technologies
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.85 грн
13+64.38 грн
100+38.20 грн
500+28.76 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.50 грн
100+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+17.28 грн
832+17.01 грн
845+16.75 грн
859+15.89 грн
873+14.47 грн
1000+13.67 грн
3000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+41.86 грн
339+41.77 грн
341+41.58 грн
500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.86 грн
43+17.55 грн
44+17.28 грн
45+16.40 грн
100+14.95 грн
250+14.13 грн
500+13.89 грн
1000+13.67 грн
3000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.20 грн
500+28.76 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSInfineon technologies
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]