Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+30.66 грн
10000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.20 грн
37+20.55 грн
50+19.52 грн
100+17.79 грн
250+16.81 грн
500+16.53 грн
1000+16.26 грн
3000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+20.55 грн
701+20.24 грн
712+19.92 грн
723+18.91 грн
735+17.22 грн
1000+16.26 грн
3000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+15.59 грн
994+14.27 грн
1007+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SINF09+
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03S GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 14.6A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14.6A 8-Pin TDSON EP
на замовлення 9619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+45.02 грн
1000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SGROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC079N03SG - BSC079N03 12V-300V NCHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 9619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+187.82 грн
500+168.92 грн
1000+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+133.05 грн
100+96.37 грн
500+75.29 грн
1000+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.64 грн
500+165.38 грн
1000+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+173.64 грн
500+165.38 грн
1000+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.89 грн
10+192.43 грн
100+135.75 грн
500+104.71 грн
1000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 20585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+109.94 грн
100+85.71 грн
500+66.45 грн
1000+52.46 грн
2000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.47 грн
10000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0804LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0804LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0804LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0804LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 33367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSInfineonMOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
10000+110.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 11167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 73034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
10000+110.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0805LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1695000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
10000+110.43 грн
100000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSINFINEON0751+ SOP8
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGinfineon09+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.77 грн
14+55.89 грн
25+55.33 грн
100+40.37 грн
250+37.01 грн
500+29.70 грн
1000+24.97 грн
3000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 15517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGInfineon technologies
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.34 грн
332+42.80 грн
335+42.40 грн
500+34.47 грн
1000+24.53 грн
3000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 718867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.76 грн
13+59.84 грн
25+59.34 грн
100+41.27 грн
250+37.86 грн
500+30.64 грн
1000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.06 грн
15+29.00 грн
100+26.92 грн
250+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.24 грн
10000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 16A TDSON-8 OptiMOS P
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
10+147.41 грн
100+102.22 грн
500+77.80 грн
1000+71.98 грн
2000+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080P03LSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGInfineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.40 грн
10+162.96 грн
100+113.88 грн
500+87.17 грн
1000+80.85 грн
2000+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.22 грн
10+228.22 грн
25+216.05 грн
100+173.97 грн
250+159.47 грн
500+131.94 грн
1000+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 8675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC084P03NS3EGATMA1 - BSC084P03 20V-250V PCHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 15 V
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GInfineon technologies
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 20942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.27 грн
50+53.41 грн
100+44.71 грн
500+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.40 грн
15000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 8400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.