Продукція > GD2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD25X512MEBIRYGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25X512MEF2RRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25X512MEF2RRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 512MBIT SPI/OCTAL 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Memory Organization: 64M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25X512MEFARRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 512MBIT SPI/OCTAL 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Memory Organization: 64M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25X512MEFARRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25X512MEFIRRGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25X512MEFIRRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedDescription: IC FLASH 512MBIT SPI/OCTAL 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Memory Organization: 64M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD26-MTTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 4.1GHZ GRID
Packaging: Bulk
Mounting Type: Bracket Mount
Frequency Range: 2.4GHz ~ 5.85GHz
Applications: WiMax™, WLAN
Gain: 18dBi, 24dBi
Number of Bands: 1
Antenna Type: Parabolic Grid
Height (Max): 24.000" (609.60mm)
Frequency Group: Wide Band
Frequency (Center/Band): 4.1GHz
RF Family/Standard: WiFi
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD26-MTLaird ConnectivityAntennas Grid,Moto
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD26-TRLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 18/24DBI 24" TRANGO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD26-TRLairdAntennas ANT,GRID,5GHZ,26DBI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD26V_2A7AV3-00001VicorModular Power Supplies GD26.7AV30V0ALL R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD277FCASIO
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD28V_2A7AF-001VicorModular Power Supplies GD28.7AF28.7AF l Ro
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD29-MTLairdAntennas Grid,Moto
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD29-MTLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 22/27DBI 24" CANOPY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD29-TRLaird Technologies IASDescription: ANT GRID 22/27DBI 24" TRANGO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD29-TRLairdAntennas ANT, GRID, 5GHZ, 29D BI,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorDiode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3794.18 грн
10+3530.52 грн
30+3486.10 грн
100+3234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3588.05 грн
10+3245.43 грн
30+2728.23 грн
100+2590.85 грн
250+2584.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3596.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+7896.07 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3794.18 грн
10+3530.52 грн
30+3486.10 грн
100+3234.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06NGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3423.40 грн
10+3025.28 грн
25+2923.48 грн
100+2605.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+6825.74 грн
30+6594.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12NGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6134.63 грн
10+5443.97 грн
25+5269.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+6825.74 грн
30+6594.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X10MPS12DGeneSiC Semiconductor1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+658.00 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X10MPS12DGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+641.10 грн
10+568.43 грн
30+472.88 грн
120+443.20 грн
270+425.25 грн
600+412.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X10MPS12DGeneSiC Semiconductor1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+657.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06NNavitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD SIC 650V 150A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4488.94 грн
10+3329.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06NGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 150A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 440A
Max. forward impulse current: 0.84kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06NGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4763.12 грн
10+4339.41 грн
30+3656.74 грн
100+3497.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06NGeneSiC SemiconductorDiode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12DGeneSiC Semiconductor1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+562.84 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12DGeneSiC Semiconductor1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+562.84 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.02 грн
10+711.82 грн
25+683.40 грн
100+603.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12DGeneSiC Semiconductor1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12DGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.25 грн
10+722.44 грн
30+544.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+3305.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NNavitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3990.34 грн
10+2925.22 грн
100+2604.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+3305.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3498.65 грн
10+2967.57 грн
30+2576.35 грн
100+2530.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+4049.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3942.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.14 грн
10+575.57 грн
30+441.82 грн
120+437.68 грн
270+428.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+688.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGENESICDescription: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+761.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+688.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 88A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.09 грн
10+601.29 грн
25+576.31 грн
100+507.22 грн
250+486.12 грн
500+470.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGENESICDescription: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1796.84 грн
5+1706.64 грн
10+1381.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1786.90 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2411.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1722.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2417.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2576.41 грн
25+2292.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1853.22 грн
10+1561.59 грн
30+1357.21 грн
100+1247.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12DGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1289.21 грн
10+1132.95 грн
25+1092.76 грн
100+970.30 грн
250+935.96 грн
500+910.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1289.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1289.92 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1295.08 грн
10+1165.43 грн
30+976.83 грн
120+925.06 грн
270+891.92 грн
510+867.76 грн
1020+862.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12DGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1410.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12NGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12NGENESICDescription: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2367.87 грн
5+2178.60 грн
10+1999.80 грн
50+1794.89 грн
100+1574.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12NNavitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2822.29 грн
10+2026.95 грн
100+1698.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2346.12 грн
10+2053.00 грн
100+1653.37 грн
250+1650.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3513.51 грн
10+3309.39 грн
30+3293.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12NNavitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3705.32 грн
10+2704.45 грн
100+2377.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3250.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2407.33 грн
10+2180.03 грн
30+1848.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06NGeneSiC Semiconductor650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2612.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06NGeneSiC Semiconductor650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06NGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2570.66 грн
10+2273.82 грн
25+2198.32 грн
100+1960.80 грн
250+1895.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06NGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 176A
Max. forward impulse current: 0.336kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06NGeneSiC Semiconductor650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2610.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 2 CH GUARD DOG, LOW PROFILE,
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 11.94
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13444.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17NNavitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7874.29 грн
10+6000.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17NGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11574.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10093.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17NGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7503.09 грн
10+6722.68 грн
30+5794.72 грн
100+5748.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17NGeneSiC SemiconductorDiode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10281.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18