Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLHS6376TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N-Ch 30V 63mOhm 2.5V cpbl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
на замовлення 17901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.19 грн
50+32.19 грн
250+22.84 грн
1000+15.02 грн
2000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 59863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.34 грн
100+27.44 грн
500+19.71 грн
1000+17.76 грн
2000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.16 грн
33+22.87 грн
35+22.05 грн
100+18.78 грн
250+17.22 грн
500+14.91 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+22.05 грн
727+19.47 грн
734+19.28 грн
814+16.78 грн
1039+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.19 грн
250+22.84 грн
1000+15.02 грн
2000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.31 грн
8000+14.47 грн
12000+13.84 грн
20000+12.32 грн
28000+11.93 грн
40000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2203NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2203NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2505Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 58A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2505GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2910Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2910PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3215
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3215-033
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3215PBFIRTO-220 02+
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3615 (транзистор)
Код товару: 73366
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 150 V
Струм стоку Idd, A: 14 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,085 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1600/140
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3615(94-3212)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3615HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω IRLI3705N TIRLI3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBF
Код товару: 118152
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+168.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.01 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.40 грн
10+171.51 грн
100+162.57 грн
500+147.94 грн
1000+133.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 47A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFInternational RectifierTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3705NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3803IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3803Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI3803PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI510ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI520GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 7.2A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NHRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+38.99 грн
398+35.62 грн
700+33.15 грн
1050+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPBFInternational RectifierTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 27
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 27
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520NPRFMD(94-5705)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530
Код товару: 14597
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLI530GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530G(94-5587)
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530G-LF33
Код товару: 14598
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530G-LF33(94-5751)
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
50+101.10 грн
100+83.18 грн
500+66.05 грн
1000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NIR09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.87 грн
10+95.84 грн
100+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NPBF
Код товару: 86337
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530NPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540GPBFVishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds +/-10V Vgs Single 9.4nC Qgs
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+146.20 грн
100+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NInternational RectifierHEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFJSMSEMIMOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFInfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI540NPBFInternational RectifierHEXFET® Power MOSFET TO-220 FULLPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI610ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI610ATUONSEMIDescription: ONSEMI - IRLI610ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2290+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 2290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI620GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI620GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI620GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GPBFVishay SemiconductorsMOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.77 грн
10+185.60 грн
100+149.16 грн
500+115.01 грн
1000+95.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640G
Код товару: 42042
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]