Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.13 грн
25+827.47 грн
100+716.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XIXYSMOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XLittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2346.21 грн
25+1515.54 грн
100+1472.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XLittelfuseMOSFET N-CH 1000V 52A TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N60Q2IXYSMOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50IXYSMOSFET 500V 55A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50FIXYSMOSFET IXFK55N50F 500V 55A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK60N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK60N55Q2IXYSMOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1916.04 грн
10+1741.80 грн
25+1445.57 грн
100+1293.01 грн
500+1163.91 грн
1000+1123.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK62N25
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 62A TO264
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PIXYSMOSFETs 500V 64A
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.44 грн
10+983.63 грн
100+797.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1310.38 грн
5+1146.08 грн
10+949.56 грн
50+790.50 грн
100+682.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+1235.74 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50P
Код товару: 53284
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1246.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1643.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60PIXYSMOSFETs 600V 64A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1811.34 грн
10+1292.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P
Код товару: 193667
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1840.62 грн
25+1161.68 грн
100+1016.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1277.00 грн
5+1027.07 грн
10+937.33 грн
25+837.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.89 грн
25+885.63 грн
100+768.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1270.11 грн
5+1036.55 грн
10+802.98 грн
50+694.02 грн
100+593.00 грн
250+581.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60P3IXYSMOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1491.60 грн
10+943.94 грн
100+786.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1008.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2707.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK66N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK66N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK66N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 66A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1097.90 грн
25+1086.75 грн
50+1042.01 грн
100+912.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.42 грн
10+1097.90 грн
25+1086.75 грн
50+1042.01 грн
100+912.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30IXYSMOSFETs 300V 73A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK73N30QIXYSMOSFETs 73 Amps 300V 0.042 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK74N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 74A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK74N50P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1148.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1854.60 грн
25+1171.22 грн
100+1025.40 грн
500+951.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1618.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK78N50P3IXYSMOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1994.97 грн
10+1313.10 грн
100+1134.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N15QIXYSMOSFETs 80 Amps 150V 0.0225 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N15QTO-264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N15QIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N20IXYSMOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N20QTO-264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N20QIXYSMOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50PIXYSMOSFETs 500V 80A
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1924.90 грн
10+1299.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1663.55 грн
25+1040.41 грн
100+907.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1271.63 грн
10+1145.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50P
Код товару: 35720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50PN-CH 500V 80A 0.065 mOm 200 nsec 1040 W TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2337.67 грн
25+1866.11 грн
100+1749.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3IXYSMOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1687.31 грн
10+1077.31 грн
500+917.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1294.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.36 грн
25+827.17 грн
100+731.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1578.58 грн
2+1230.66 грн
5+1189.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK80N65X2IXYSMOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N20QTO-264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N20QIXYSMOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1306.36 грн
10+902.66 грн
100+736.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30P
Код товару: 106275
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.29 грн
25+847.22 грн
100+797.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1056.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK88N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20IXYSMOSFET 200V 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QIXYSMOSFETs 200V 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]