Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK40N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2388.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1343.22 грн
5+1148.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50
Код товару: 36560
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50IXYSMOSFETs 500V 44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50FIXYS-RFDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50P
Код товару: 129821
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.53 грн
25+693.75 грн
50+640.89 грн
100+559.77 грн
500+510.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYSMOSFETs 500V 44A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PMOSFET N-CH 500V 44A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50QIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60IXYSMOSFET DIODE Id44 BVdass600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60
Код товару: 117720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1589.32 грн
2+1418.46 грн
3+1367.77 грн
5+1288.83 грн
10+1162.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYSMOSFETs 44 Amps 800V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P
Код товару: 170265
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.2kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1816.55 грн
25+1142.53 грн
100+998.73 грн
500+920.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1195.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYSMOSFETs DIODE Id48 BVdass500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2294.18 грн
25+1466.87 грн
50+1371.37 грн
100+1224.13 грн
500+1154.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50
Код товару: 36561
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50QIXYSMOSFETs 48 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50QТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 48A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1573.46 грн
25+979.59 грн
50+910.64 грн
100+800.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1023.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50
Код товару: 221654
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-264AA
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 100 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9400/330
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+620.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50IXYSMOSFETs 50 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+1552.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.105Ω
Reverse recovery time: 218ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 50A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.65 грн
25+797.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.13 грн
25+827.47 грн
100+716.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 520, Ciss, пФ @ Uds, В = 41000 @ 25, Qg, нКл = 545, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 5, Р, Вт = 1250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1313.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1100.71 грн
5+899.11 грн
10+845.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XIXYSMOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 52A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 245nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 260ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XLittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N100XLittelfuseMOSFET N-CH 1000V 52A TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N60Q2IXYSMOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK52N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50IXYSMOSFET 500V 55A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50FIXYSMOSFET IXFK55N50F 500V 55A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK60N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK60N55Q2IXYSMOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK62N25
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 62A TO264
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50P
Код товару: 53284
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1246.62 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PIXYSMOSFETs 500V 64A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+1235.74 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.