Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.90 грн
500+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+88.92 грн
100+65.93 грн
1000+45.56 грн
1500+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.36 грн
10+109.53 грн
100+74.90 грн
500+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 53A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+48.03 грн
100+37.07 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.06 грн
15+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.73 грн
50+45.02 грн
100+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.16 грн
30000+45.84 грн
60000+42.65 грн
90000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.75 грн
3000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+68.43 грн
100+45.74 грн
500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.05 грн
10+106.31 грн
50+87.79 грн
200+64.62 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.13 грн
3000+37.49 грн
7500+37.47 грн
9000+36.05 грн
10500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.24 грн
13+61.98 грн
100+39.38 грн
500+37.59 грн
1000+33.47 грн
1500+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.21 грн
3000+39.40 грн
7500+39.34 грн
9000+36.63 грн
10500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.83 грн
500+92.54 грн
1000+85.34 грн
10000+73.38 грн
100000+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 23072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+73.04 грн
100+41.21 грн
500+31.76 грн
1000+28.79 грн
24000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.21 грн
152+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+56.14 грн
1600+49.99 грн
2400+47.91 грн
4000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+50.53 грн
800+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.78 грн
100+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN012-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+127.82 грн
100+89.05 грн
500+73.18 грн
1000+60.75 грн
2500+56.61 грн
5000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaMOSFETs N-channel 100 V 13 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.05 грн
10+215.04 грн
50+160.27 грн
100+124.89 грн
250+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+158.29 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+30.91 грн
250+29.19 грн
500+28.71 грн
1000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
10+110.83 грн
100+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.62 грн
417+34.06 грн
500+33.49 грн
1000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.89 грн
250+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Tube
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+137.02 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NexperiaMOSFET Single NChannel 100V 272A 170W 30mOhms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN013-100PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100XS,127NexperiaMOSFET N-ch 100V 13mA MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100XS,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.81 грн
121+118.00 грн
122+117.13 грн
145+94.60 грн
250+82.27 грн
500+72.03 грн
1000+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.62 грн
100+73.51 грн
500+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+100.53 грн
500+90.47 грн
1000+83.43 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.84 грн
3000+48.29 грн
4500+46.47 грн
7500+41.70 грн
10500+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaMOSFETs PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+108.76 грн
100+67.58 грн
500+55.02 грн
1000+54.95 грн
1500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+100.53 грн
500+90.47 грн
1000+83.43 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30LL,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLCNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC транзистор
Код товару: 195567
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN013-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 13277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+38.90 грн
50+24.78 грн
100+21.81 грн
1500+16.29 грн
3000+12.91 грн
4500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
22+19.78 грн
25+18.28 грн
100+17.53 грн
250+16.20 грн
500+15.54 грн
1000+13.96 грн
1500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0135 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.11 грн
19+42.85 грн
100+29.72 грн
500+21.61 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 519 pF @ 15 V
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.26 грн
100+20.11 грн
500+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.27 грн
50+32.50 грн
100+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]