Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 25 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN012-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 65A N-CH MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65 A, 9700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1924+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin LFPAK-D
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.01 грн
500+148.51 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 25 V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.70 грн
50+35.28 грн
100+29.34 грн
500+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 53A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60MSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.01 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.04 грн
3000+37.40 грн
7500+37.39 грн
9000+35.97 грн
10500+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+74.80 грн
50+56.05 грн
100+46.93 грн
500+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaMOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 12117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.05 грн
13+61.84 грн
100+39.29 грн
500+37.51 грн
1000+33.40 грн
1500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.12 грн
3000+39.31 грн
7500+39.25 грн
9000+36.55 грн
10500+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.67 грн
14+57.56 грн
25+52.14 грн
100+45.63 грн
250+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0111 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.05 грн
30000+45.74 грн
60000+42.55 грн
90000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 100500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.60 грн
500+92.34 грн
1000+85.15 грн
10000+73.22 грн
100000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.68 грн
3000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.56 грн
272+52.14 грн
299+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.00 грн
152+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.44 грн
10+106.58 грн
50+80.96 грн
100+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.24 грн
10+125.53 грн
50+104.89 грн
100+70.56 грн
800+63.65 грн
2400+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2400+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.07 грн
2400+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
500+149.69 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN012-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
10+85.54 грн
25+77.16 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.86 грн
100+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.36 грн
500+157.94 грн
1000+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+30.84 грн
250+29.13 грн
500+28.64 грн
1000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaMOSFETs N-channel 100 V 13 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.27 грн
10+138.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.54 грн
417+33.98 грн
500+33.42 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN013-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NexperiaMOSFET Single NChannel 100V 272A 170W 30mOhms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+136.72 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Tube
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+179.15 грн
1000+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN013-100PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100XS,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100XS,127NexperiaMOSFET N-ch 100V 13mA MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+100.31 грн
500+90.27 грн
1000+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 19874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.37 грн
50+83.18 грн
100+70.13 грн
500+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaMOSFETs PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+70.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.51 грн
121+117.74 грн
122+116.87 грн
145+94.39 грн
250+82.08 грн
500+71.87 грн
1000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.74 грн
4500+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.94 грн
10+134.33 грн
100+99.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+100.31 грн
500+90.27 грн
1000+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+122.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 25 30 35 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]