Продукція > SI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2323DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2323DDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -20V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.45 грн
3000+2.29 грн
6000+2.10 грн
15000+2.04 грн
30000+1.95 грн
75000+1.80 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DSUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DSUMWDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 11946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DSGOODWORKDescription: 20V 5A 39m@4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.32 грн
50+13.21 грн
100+10.85 грн
500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 954 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1Vishay SiliconixMOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1VISHAY
на замовлення 13660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
на замовлення 56983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3
Код товару: 207640
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 3.7A 0.039Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+195.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3VishayP-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V
на замовлення 155568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 10, Qg, нКл = 19 @ 4,5 В, Rds = 39 мОм @ 4,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.96 грн
10+80.45 грн
100+54.27 грн
500+43.18 грн
1000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2323DS-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.90 грн
264+53.89 грн
500+44.46 грн
1000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3-LPIELENSTTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; SI2323DS-T1-GE3-L SOT23 PIELENST TSI2323ds PIE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-TI-E3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH ENH FET 100VDS 2A 8A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 2A 8A 20Vgs 22pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMCC Corp.SI2324A-TP SI2324A N-Channel 2A (Tj) 1.2W Surface Mount SOT-23 Транзистори
на замовлення 9 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
9+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2324A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 2A 8A 20Vgs 22pF
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 14183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.38 грн
100+10.34 грн
500+7.23 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 2 А, Qg, нКл = 4.8, Rds = 280 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
6000+5.24 грн
9000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2324A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.28 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TP
Код товару: 173380
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 250 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 520/4,8
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324AHE3-TPMicro Commercial ComponentsSI2324AHE3-TP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.14 грн
50+16.05 грн
100+13.19 грн
500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
6000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+35.52 грн
100+24.69 грн
500+18.10 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.08 грн
6000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.11 грн
16+26.09 грн
18+24.10 грн
50+20.44 грн
100+19.20 грн
500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
на замовлення 39406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
14+21.39 грн
100+17.94 грн
500+16.16 грн
1000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 165384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS
Код товару: 178664
1 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Id, А: 0,69 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 340/7,7
Монтаж: SMD
у наявності: 78 шт
  • 78 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT233 150V .53A P-CH MOSFET
на замовлення 51828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 18681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 26859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.26 грн
50+49.52 грн
100+41.41 грн
500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; Idm: -1.6A; 0.48W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.43A
Pulsed drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2325DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 26859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.76 грн
9000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 6763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 18867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.26 грн
50+49.52 грн
100+41.41 грн
500+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 6763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.76 грн
9000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; Idm: -1.6A; 0.48W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.43A
Pulsed drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2326DS-T1SI01+ SOT-23
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.