Продукція > STL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 2.6A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 22W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2.6A
Gate charge: 9.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60N
Код товару: 130677
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
10+147.41 грн
50+113.11 грн
100+95.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL3P6F6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL3P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LLSTMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40C30H3LLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
на замовлення 30081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.84 грн
9000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
на замовлення 13987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.41 грн
50+55.84 грн
100+46.78 грн
500+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsSTL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsSTL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsSTL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMMOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.48 грн
50+70.70 грн
100+59.45 грн
500+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 75 V, 16 mOhm 10 A STripFET III
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 40A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4164SANYO
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 42 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.80 грн
6000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -42A; Idm: -168A; 75W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
Pulsed drain current: -168A
Power dissipation: 75W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.86 грн
10+76.45 грн
75+56.51 грн
100+54.01 грн
250+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ 42 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 11543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 7551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+91.76 грн
100+62.19 грн
500+46.46 грн
1000+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.94 грн
108+132.30 грн
110+129.46 грн
200+86.93 грн
500+78.89 грн
1000+52.73 грн
2000+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; -60V; -42A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -42A
Power dissipation: 100W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.88 грн
9000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+108.81 грн
50+82.73 грн
100+69.75 грн
500+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.19 грн
9000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL42P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in
на замовлення 11295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+85.63 грн
50+64.54 грн
100+54.19 грн
500+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMMOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.5A; Idm: 90A; 160W
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerFLAT 8x8
On-state resistance: 86mΩ
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4600BCV07+
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.89 грн
10+290.25 грн
50+229.37 грн
100+196.89 грн
500+183.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 124A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 190W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 124A
Gate charge: 52.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 35.7W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.29 грн
50+82.31 грн
100+69.40 грн
500+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.5 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P2UH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.