Продукція > STL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 60W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 60W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.80 грн
100+47.43 грн
500+35.11 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40DN3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin Power Flat T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMMOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsSTL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.93 грн
500+54.34 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsSTL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 4117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
10+106.48 грн
100+68.93 грн
500+54.34 грн
1000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsSTL40N10F7 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 100V 40A 8-Pin Power Flat T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.61 грн
100+60.07 грн
500+44.90 грн
1000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 75 V, 16 mOhm 10 A STripFET III
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL40N75LF3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 40A 8-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4164SANYO
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsP-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 42 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -42A; Idm: -168A; 75W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
Pulsed drain current: -168A
Power dissipation: 75W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.06 грн
10+77.16 грн
75+57.03 грн
100+54.51 грн
250+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 40V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.19 грн
6000+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
10+99.17 грн
100+71.69 грн
500+58.27 грн
1000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ 42 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 11543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
на замовлення 7551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+92.61 грн
100+62.76 грн
500+46.89 грн
1000+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P4LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL42P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0105 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.69 грн
500+58.27 грн
1000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.74 грн
9000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.99 грн
100+74.47 грн
500+56.03 грн
1000+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL42P6LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 42 A, 0.023 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.90 грн
10+125.99 грн
100+86.16 грн
500+64.01 грн
1000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.05 грн
9000+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.52 грн
108+132.01 грн
110+129.18 грн
200+86.74 грн
500+78.72 грн
1000+52.61 грн
2000+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 42A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL42P6LLF6STMicroelectronicsCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; -60V; -42A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -42A
Power dissipation: 100W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in
на замовлення 11297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.93 грн
100+56.71 грн
500+42.29 грн
1000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+331.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMMOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.54 грн
5+376.35 грн
10+364.15 грн
50+331.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL45P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL45P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4600BCV07+
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.04 грн
10+293.08 грн
100+211.88 грн
500+185.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL47N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 124A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 190W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52.2nC
Pulsed drain current: 124A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 35.7W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.88 грн
500+29.44 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.91 грн
14+59.74 грн
100+37.88 грн
500+29.44 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.69 грн
100+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.5 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.57 грн
10+120.30 грн
100+84.54 грн
500+63.10 грн
1000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4N80K5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P2UH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.34 грн
50+36.74 грн
100+26.91 грн
500+21.96 грн
1500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 pack
на замовлення 7258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.66 грн
6000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.91 грн
500+21.96 грн
1500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL4P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 6302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.42 грн
100+22.25 грн
500+15.96 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL5-450-6M-01EssentraCable Mounting & Accessories
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50552F21S100
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.11 грн
6000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.27 грн
6000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsMOSFETs Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ 57 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 6212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+89.29 грн
100+60.95 грн
500+45.54 грн
1000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL50DN6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.98 грн
6000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]