Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR420TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.34 грн
199+71.50 грн
500+62.53 грн
1000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.28 грн
14+54.35 грн
25+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.42 грн
10+83.51 грн
100+47.76 грн
500+41.76 грн
2000+41.69 грн
10000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+90.05 грн
500+81.04 грн
1000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.52 грн
10+63.71 грн
100+46.56 грн
250+41.44 грн
500+37.49 грн
1000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.90 грн
10+104.62 грн
100+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.23 грн
10+87.98 грн
100+65.25 грн
500+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+95.14 грн
156+90.89 грн
250+87.24 грн
500+81.09 грн
1000+72.64 грн
2500+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFR420TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 2.4A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.23 грн
10+116.50 грн
25+104.28 грн
50+84.72 грн
100+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
10+74.28 грн
100+57.52 грн
500+47.59 грн
1000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+81.10 грн
100+46.37 грн
500+39.80 грн
10000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420UHARRISIRFR420U
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420UHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430AIRFR430A Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+59.37 грн
150+56.29 грн
525+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.53 грн
22+35.45 грн
23+33.93 грн
100+32.26 грн
500+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF
Код товару: 163510
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+35.45 грн
418+33.93 грн
424+33.45 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
75+84.93 грн
150+76.71 грн
525+61.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.46 грн
252+56.37 грн
525+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+16.71 грн
150+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.33 грн
10+81.91 грн
100+59.07 грн
500+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.78 грн
10+64.72 грн
75+59.68 грн
150+58.00 грн
300+56.31 грн
525+53.79 грн
1050+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.79 грн
118+120.81 грн
150+109.13 грн
300+93.19 грн
525+82.59 грн
1050+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.74 грн
10+82.28 грн
100+69.33 грн
500+53.63 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR430ATRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.74 грн
10+120.57 грн
100+82.28 грн
500+56.58 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.61 грн
100+81.34 грн
500+61.39 грн
1000+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.28 грн
500+56.58 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.96 грн
10+126.07 грн
100+75.41 грн
500+60.68 грн
1000+56.42 грн
2000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+44.44 грн
333+42.66 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTFFAIRCHILD
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 258610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 207739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430TRFAIRCHIL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBFIRFR4510PBF Транзисторы
на замовлення 103 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.26 грн
12+68.71 грн
25+67.79 грн
100+59.27 грн
250+54.30 грн
500+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3031 @ 50, Qg, нКл = 81 @ 10 В, Rds = 13,9 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 143, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.57 грн
4000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.69 грн
500+73.05 грн
1000+67.66 грн
2000+63.15 грн
4000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineonMOSFET N CH 100V 56A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.71 грн
210+67.79 грн
231+61.46 грн
250+58.65 грн
500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.72 грн
10+81.10 грн
100+51.53 грн
500+45.25 грн
1000+42.59 грн
2000+37.22 грн
4000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.48 грн
10+76.93 грн
100+59.84 грн
500+45.59 грн
1000+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.35 грн
10+83.09 грн
100+63.79 грн
500+50.76 грн
1000+46.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 пФ @ 50 В, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+67.81 грн
150+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBF
Код товару: 115461
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.28 грн
500+62.86 грн
1500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.64 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.40 грн
100+148.45 грн
250+142.50 грн
500+132.45 грн
1000+118.64 грн
2500+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF
Код товару: 189386
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 33A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.86 грн
50+110.79 грн
100+74.62 грн
500+55.07 грн
1500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.47 грн
10+104.69 грн
100+70.80 грн
500+52.79 грн
1000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
на замовлення 13605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.98 грн
10+69.78 грн
100+46.44 грн
500+41.13 грн
1000+38.54 грн
3000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]