Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR7746PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA Tube
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746PBF-INFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 99
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.73 грн
13+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR7746TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.0095 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7
Verlustleistung: 99
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon / IRMOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+109.21 грн
100+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7746TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 59A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7833IR
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812PBF
Код товару: 167541
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812PBFInternational RectifierMOSF N CH 500V 3.6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812TRPBFInfineon / IRMOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.65 грн
10+90.74 грн
100+61.45 грн
500+50.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812TRPBF
Код товару: 111396
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR812TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBFInfineon / IRMOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBF
Код товару: 67236
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBFInternational RectifierMOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFInfineonMOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.80 грн
500+77.16 грн
1000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.64 грн
10+107.53 грн
100+88.80 грн
500+77.16 грн
1000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
10000+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 743 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+56.45 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825TRPBF
Код товару: 188539
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 160A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314 HXY MOSFET TIRFR8314 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,4mOhm; 90A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR JGSEMI TIRFR8314 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR-ML MOSLEADER TIRFR8314 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+85.92 грн
100+52.16 грн
500+44.83 грн
1000+41.48 грн
2000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF
Код товару: 198287
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.26 грн
10+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR9010PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010
Код товару: 42634
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010Infineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.41 грн
75+51.94 грн
150+46.71 грн
525+36.84 грн
1050+33.81 грн
2025+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 5.3A
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.42 грн
10+69.78 грн
100+40.01 грн
500+33.94 грн
1000+30.03 грн
3000+27.86 грн
6000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 50V 5.3A
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.68 грн
10+84.32 грн
100+46.64 грн
1000+42.80 грн
2000+39.59 грн
4000+33.24 грн
10000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.00 грн
25+32.57 грн
100+30.99 грн
250+28.32 грн
500+26.82 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.84 грн
10+63.39 грн
100+44.93 грн
500+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+33.00 грн
436+32.57 грн
442+32.14 грн
447+30.58 грн
500+27.94 грн
1000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9012IR
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFR9014PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014VishayP-MOSFET 5,1A 60V 2,5W IRFR9014 TIRFR9014
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014
Код товару: 24942
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 60 V
Id,A: 5,1 A
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014NTRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014NTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014NTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.35 грн
320+44.41 грн
500+39.96 грн
1000+35.65 грн
3000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+55.73 грн
1050+50.93 грн
2100+47.38 грн
3150+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.47 грн
17+46.34 грн
100+44.40 грн
500+38.53 грн
1000+33.00 грн
3000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
на замовлення 13117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.09 грн
10+35.33 грн
100+28.35 грн
500+25.98 грн
1000+24.30 грн
3000+23.74 грн
6000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.33 грн
17+45.16 грн
100+43.27 грн
500+37.58 грн
1000+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.46 грн
1050+60.07 грн
2025+55.76 грн
5025+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.16 грн
328+43.27 грн
500+38.97 грн
1000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.18 грн
248+57.29 грн
525+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+48.80 грн
329+43.19 грн
500+42.24 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.08 грн
11+39.25 грн
50+31.10 грн
75+29.92 грн
150+28.75 грн
375+27.57 грн
525+26.81 грн
750+25.97 грн
1050+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.47 грн
75+59.72 грн
150+53.70 грн
525+42.35 грн
1050+38.87 грн
2025+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.28 грн
324+43.84 грн
336+42.19 грн
500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.64 грн
13+67.05 грн
100+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.62 грн
75+61.11 грн
150+54.95 грн
525+43.34 грн
1050+39.77 грн
2025+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 P-CH 60V 5.1A
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.78 грн
10+69.78 грн
100+54.05 грн
500+45.46 грн
1000+38.75 грн
3000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]