Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH4007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.29 грн
16+52.48 грн
100+36.81 грн
500+32.46 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+63.35 грн
100+44.41 грн
500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1017500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.81 грн
500+32.46 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2082 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
10+57.08 грн
100+39.80 грн
500+30.08 грн
1000+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2082 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.77 грн
5000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+114.11 грн
100+70.72 грн
500+50.29 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 11.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 24268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.96 грн
10+79.77 грн
100+52.20 грн
500+38.85 грн
1000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.72 грн
500+50.29 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.06 грн
10+94.02 грн
100+63.16 грн
500+46.56 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 11.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.54 грн
5000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 402500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.16 грн
500+46.56 грн
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 415399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.28 грн
10+82.01 грн
100+55.26 грн
500+41.12 грн
1000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 13.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 2.8W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.15 грн
500+14.92 грн
1000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.47 грн
50+16.23 грн
100+16.15 грн
500+14.92 грн
1000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 9868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+40.22 грн
100+26.16 грн
500+19.46 грн
1000+16.58 грн
2000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.24 грн
21+39.62 грн
100+27.40 грн
500+21.27 грн
1000+18.25 грн
5000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.40 грн
500+21.27 грн
1000+18.25 грн
5000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+40.15 грн
100+26.23 грн
500+18.98 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Grade: Automotive
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.95 грн
12+68.71 грн
100+44.68 грн
500+29.40 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDW-13Diodes Zetex40V 175 Degrees Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+59.77 грн
100+39.59 грн
500+29.04 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.68 грн
500+29.40 грн
1000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.11 грн
5000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+47.91 грн
100+31.56 грн
500+23.01 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.07 грн
10+42.98 грн
100+28.02 грн
500+20.27 грн
1000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+50.15 грн
100+33.51 грн
500+24.48 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 55.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.51 грн
15+54.48 грн
100+38.41 грн
500+28.58 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 55.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.41 грн
500+28.58 грн
1000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.14 грн
15+55.13 грн
100+34.72 грн
500+26.94 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V 40V
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.72 грн
500+26.94 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+56.11 грн
100+37.10 грн
500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]