Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH4005SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4005SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.31 грн
5000+26.04 грн
7500+25.79 грн
12500+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.05 грн
100+39.81 грн
500+29.20 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+55.94 грн
100+43.55 грн
500+34.64 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 20.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 49.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 3.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.14 грн
5000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 20.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3.7mOHm 10V 100A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+81.22 грн
100+54.65 грн
500+40.59 грн
1000+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 20.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
на замовлення 6927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 44A; Idm: 80A; 59W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 59W
Gate charge: 29.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 7.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.19 грн
7500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.9A; Idm: 80A; 2.6W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 29.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 13.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 9.8mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+66.49 грн
25+56.09 грн
50+46.56 грн
100+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83.3W
Gate charge: 29.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+50.56 грн
100+37.09 грн
500+29.21 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+83.09 грн
25+70.30 грн
50+58.49 грн
100+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; Idm: 340A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 2.7W
Gate charge: 29.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 9.8mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin PowerDI 5060 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1017500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2082 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+81.97 грн
25+69.40 грн
50+57.79 грн
100+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 17.6A/76A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2082 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 41.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 8.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 24268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+79.95 грн
100+52.31 грн
500+38.93 грн
1000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 14.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.62 грн
5000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 402500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+82.19 грн
100+55.38 грн
500+41.21 грн
1000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.9A; Idm: 90A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 41.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 8.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 200A; 2.8W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 41.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 7.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 2.8W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 41.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 7.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 15.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSWQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.31 грн
100+26.22 грн
500+19.50 грн
1000+16.61 грн
2000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 9868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.