Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 9347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+83.36 грн
100+47.43 грн
500+37.62 грн
1000+33.48 грн
2500+30.51 грн
5000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+60.25 грн
1000+55.57 грн
10000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.51 грн
180+78.81 грн
200+77.30 грн
500+57.04 грн
1000+51.89 грн
2000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.17 грн
5000+36.62 грн
7500+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.97 грн
170+83.47 грн
243+58.37 грн
500+43.86 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
50+67.90 грн
100+45.10 грн
500+32.83 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.62 грн
5000+31.31 грн
7500+30.99 грн
12500+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.55 грн
100+51.64 грн
500+38.03 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.22 грн
5000+30.91 грн
7500+30.60 грн
12500+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.65 грн
234+60.67 грн
236+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
10000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.35 грн
5000+30.69 грн
7500+29.47 грн
12500+26.37 грн
17500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.13 грн
10+82.90 грн
100+57.98 грн
500+43.56 грн
1000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.10 грн
500+32.83 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.43 грн
9+51.19 грн
25+45.87 грн
100+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+80.98 грн
100+46.46 грн
500+36.45 грн
1000+32.10 грн
2500+28.03 грн
5000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S4-13Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+76.45 грн
100+44.25 грн
500+36.24 грн
1000+32.86 грн
2500+27.82 грн
5000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 8118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+73.04 грн
100+44.53 грн
500+36.59 грн
1000+34.03 грн
2500+29.89 грн
5000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+73.96 грн
100+49.58 грн
500+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16Infineon
на замовлення 627500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.64 грн
122+116.20 грн
250+111.54 грн
500+103.67 грн
1000+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.18 грн
10+123.05 грн
100+61.72 грн
500+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.25 грн
160+88.80 грн
163+87.47 грн
168+81.38 грн
250+75.28 грн
500+72.20 грн
1000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
10+100.67 грн
100+73.21 грн
500+57.66 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Technology: OptiMOS® -T
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.67 грн
5000+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.16 грн
10+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.97 грн
111+127.72 грн
136+104.83 грн
200+94.57 грн
500+87.24 грн
1000+74.46 грн
2000+69.40 грн
2500+69.30 грн
5000+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.21 грн
500+57.66 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.10 грн
5000+79.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.25 грн
10+88.80 грн
25+87.47 грн
100+81.38 грн
250+75.28 грн
500+72.20 грн
1000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1Rochester Electronics, LLCDescription: IPD50N12 - 120V-300V N-CHANNEL A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.55 грн
10+151.63 грн
100+106.31 грн
500+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L-11UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 50A DPAK
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+53.32 грн
100+35.22 грн
500+25.75 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
2500+33.34 грн
5000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L-11UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11
Код товару: 118209
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 8300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.53 грн
500+98.72 грн
1000+89.05 грн
5000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+56.61 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 8300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
10+112.76 грн
100+109.53 грн
500+98.72 грн
1000+89.05 грн
5000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+56.61 грн
1000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.13 грн
500+38.52 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.26 грн
250+56.88 грн
500+54.83 грн
1000+51.15 грн
2500+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 122513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
10000+46.68 грн
100000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.34 грн
13+62.82 грн
100+46.55 грн
500+32.61 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+67.96 грн
100+42.46 грн
500+33.62 грн
1000+30.65 грн
2500+27.41 грн
5000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.78 грн
1000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+57.36 грн
100+43.71 грн
500+32.30 грн
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+103.00 грн
192+74.18 грн
207+68.51 грн
500+53.40 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4-13Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4-13Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.37 грн
159+89.19 грн
250+85.62 грн
500+79.58 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4-13Infineon
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 18434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.80 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
на замовлення 18434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.08 грн
50+51.79 грн
100+45.75 грн
500+36.80 грн
1000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -45A; 58W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS® -P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -45A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 58W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.42 грн
100+55.05 грн
500+40.65 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+85.74 грн
100+49.22 грн
500+39.07 грн
1000+34.66 грн
2500+31.69 грн
5000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 58W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Power dissipation: 58W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.88 грн
1000+52.46 грн
10000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.03 грн
500+37.99 грн
1000+32.03 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.82 грн
5000+32.93 грн
7500+31.64 грн
12500+28.34 грн
17500+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.88 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+78.45 грн
100+52.03 грн
500+37.99 грн
1000+32.03 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]