Продукція > IPS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPS80R600P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R750P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8160HQ - LEISTUNGSSCHALTER HIGHSIDE 0.7A QFNEP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 700mA
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMicroelectronicsDescription: 0.5A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 700mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Input Type: CMOS
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 8
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.51 грн
10+406.15 грн
100+324.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution 0.5A Octal high side driver
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8160HQ - LEISTUNGSSCHALTER HIGHSIDE 0.7A QFNEP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 700mA
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQSTMicroelectronicsDescription: 0.5A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 700mA
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Input Type: CMOS
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsDescription: 1.0A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.27 грн
10+411.51 грн
100+324.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsDescription: 1.0A OCTAL HIGH SIDE DRIVER
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm (Max)
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 7V ~ 45V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 45V
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 48-QFN (8x6)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Load, Over Temperature, Reverse Battery, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8160HQ-1STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution 1.0A Octal high side driver
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQSTMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution Octal high-side smart power solid-state relay serial/parallel selectable interface on-chip
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQ-1STMicroelectronicsPower Switch ICs - Power Distribution Octal high-side smart power solid-state relay serial/parallel selectable interface on-chip
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQ-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8200HQ-1 - Leistungsverteilungsschalter, Active-Low, 8 Ausgänge, 36V, 0.2 Ohm, VFQFPN-EP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.7A
IC-Gehäuse / Bauform: VFQFPN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS8200HQ-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IPS8200HQ-1 - Leistungsverteilungsschalter, Active-Low, 8 Ausgänge, 36V, 0.2 Ohm, VFQFPN-EP-48
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.7A
IC-Gehäuse / Bauform: VFQFPN
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPS962-512-PoE-DC 4PoE+Vision IO+2 slotsAxiomtekEmbedded Box Computers IPS962-512-PoE-DC 4PoE+Vision IO+2 slots
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R1K2P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R1K4CEAKMA1 - CONSUMER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1320+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 1320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R2K0CEAKMA1 - IPSA70R2K 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 17.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+57.37 грн
1000+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 49799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+57.37 грн
1000+52.91 грн
10000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+57.37 грн
1000+52.91 грн
10000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
75+39.04 грн
150+34.87 грн
525+27.15 грн
1050+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R450P7SAKMA1 - IPSA70R450 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R600CEAKMA1 - IPSA70R600 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600P7SAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R600P7SAKMA1 - IPSA70R600 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 796-805 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R600P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 11516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1247+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 1247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1019+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 1019 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R750P7SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1247+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 1247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R750P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R750P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34.7W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
774+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPSA70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R950CEAKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-347
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R950CEAKMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPSA70R950CEAKMA1 - IPSA70R950 650V AND 700V COOLMOS N-CHAN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 923 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-C0184-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter -1to+24barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-C0184-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS -1-24BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1000-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-1barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1000-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-1BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1002-5Cynergy30
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20960.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1002-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-10barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1002-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-10BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1003-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-100barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1003-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-100BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1602-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter 0-16barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G1602-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-16BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G2502-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-25barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G2502-5Sensata-Cynergy3Description: PRESSURE TRANS 0-25BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G4002-5SENSATA / CYNERGY3Description: SENSATA / CYNERGY3 - IPSAT-G4002-5 - Drucksensor, 40 bar, Analog, Relativdruck, 28 VDC, G1/4 (1/4" BSP)
tariffCode: 90262080
Druckmessung: Relativdruck
Nennspannung: 28
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: -
hazardous: false
Anschlusstyp: G1/4 (1/4" BSP)
Betriebsdruck, max.: 40
Sensorausgang: Analog
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPSAT Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G4002-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter 0-40barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G4002-5Sensata Technologies, Inc.Description: PRESSURE TRANS 0-40BARG 4-20MA
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder
Output Type: Analog Current
Output: 4 mA ~ 20 mA
Operating Pressure: 580.15PSI (4000kPa)
Pressure Type: Gauge
Accuracy: ±0.25%
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 28V
Port Size: Male - 1/4" (6.35mm) NPT
Applications: Industrial Automation
Port Style: Threaded
Maximum Pressure: 1160.3PSI (8000kPa)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G4003-5Cynergy3Industrial Pressure Sensors IS Pressure Transmitter 0-400barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G4003-5Sensata-Cynergy3Description: PRESSURE TRANS 0-400BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G6000-5SENSATA / CYNERGY3Description: SENSATA / CYNERGY3 - IPSAT-G6000-5 - Drucksensor, 6 bar, Analog, Relativdruck, 28 VDC, G1/4 (1/4" BSP)
Druckmessung: Relativdruck
Nennspannung: 28
Versorgungsstrom: -
Anschlusstyp: G1/4 (1/4" BSP)
Betriebsdruck, max.: 6
Sensorausgang: Analog
Produktpalette: IPSAT Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G6000-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter 0-6barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-G6000-5Cynergy 3Description: PRESSURE TRANS 0-6BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-GM1P9-5Cynergy3Pressure Sensors - Industrial IS Pressure Transmitter -1to+9barG 4-20mA DIN plug 1/4" BSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSAT-GM1P9-5Sensata-Cynergy3Description: PRESSURE TRANS -1-9BARG 4-20MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSE.4.62SM600Banner Engineering CorporationDescription: FIBER IPSE.4.62SM600 GLASS FIBER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Multibeam Sensors
Accessory Type: Glass Fiber Optics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSE.4.62SM600Banner EngineeringFibre Optic Sensors FIBER IPSE.4.62SM600 GLASS FIBER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSG1A11ABBFoot Switches FT SW GRY CVR FREE MOVEMENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPSH4N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO251-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSH5N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPSH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24  [ Наступна Сторінка >> ]