Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK90N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1554.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QIXYSMOSFETs 200V 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N20QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N30IXYSMOSFETs 90 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N30
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 90A TO264
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1363.09 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N65X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET 90A 650V X3 TO264K
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK90N65X3IXYSMOSFETs TO264 650V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1798.45 грн
10+1342.47 грн
100+1017.56 грн
500+1012.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 98A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3MOSFET N-CH 500V 98A TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3
Код товару: 156281
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3IXYSMOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1705.03 грн
10+1132.09 грн
100+917.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N60X3IXYSMOSFETs TO264 600V 98A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK98N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1210.77 грн
25+943.78 грн
100+888.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 68A; 625W; ISOPLUS264™
Case: ISOPLUS264™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 52mΩ
Drain current: 68A
Power dissipation: 625W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1575.79 грн
25+1513.03 грн
100+1458.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL100N50PIXYSMOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2719.83 грн
10+2005.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL132N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2073.61 грн
25+1330.37 грн
100+1274.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 108A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL30N120PIXYSMOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120PIXYSMOSFET 32 Amps 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL32N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 24A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL34N100IXYSMOSFETs 34 Amps 1000V 0.28W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL36N110PIXYSMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100PIXYSMOSFETs 38 Amps 1000V 0.21 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL38N100Q2IXYSMOSFETs Q2-Class HiperFET 1000, 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 357W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 305nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+988.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N100PIXYSMOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N60IXYSMOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N80IXYSMOSFETs 44 Amps 800V 0.165W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL44N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL55N50IXYSMOSFET 55 Amps 500V 0.08W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80PIXYSMOSFETs 42 Amps 800V 0.15 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL60N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 40A; 625W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 40A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL70N60Q2IXYSMOSFETs 70 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL80N50Q2IXYSMOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 55A
Power dissipation: 625W
Case: ISOPLUS264™
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+900.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60PIXYSMOSFETs 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFL82N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM10N90IXYSMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM10N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO204AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-204AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-204AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM12N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO-204AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM13N50IXYS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM15N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO204AE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM1633IXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM1766IXYSDescription: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM21N50IXYSMOSFETs 21 Amps 500V 0.25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM24N50IXYSMOSFET 500V 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM35N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-204AE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM40N30IXYSMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM42N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 42A TO204AE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM50N20IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM50N20IXYSMOSFET 200V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM67N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM6M100IXYSMODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM6N90IXY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM75N10IXYSMOSFET 100V 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM75N10
Код товару: 148712
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM75N10Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFM75N10IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN 340N07
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N10S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N10S2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N10S3IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 100A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N20IXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 200V 0.023 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N20IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50PIXYSMOSFET Modules 500V 100A
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4196.12 грн
10+3379.60 грн
100+2674.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 49mΩ
Technology: HiPerFET™
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.04kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3496.32 грн
10+3240.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50P
Код товару: 145163
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]