Продукція > IXF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFK64N50Q3 | IXYS | MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N50Q3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 64A Power dissipation: 1kW Case: TO264 On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK64N60P | IXYS | MOSFETs 600V 64A | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60P Код товару: 193667
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK64N60P3 | IXYS | MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET | на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60P3 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.13kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar3 HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60P3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK64N60P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60Q3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK64N60Q3 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK64N60Q3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK64N60Q3 | IXYS | MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK66N50Q2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 66A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK66N85X | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK66N85X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 850V 66A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK66N85X | IXYS | MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK66N85X | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; TO264; 250ns Mounting: THT Power dissipation: 1.25kW Gate charge: 230nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Drain current: 66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 850V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO264 On-state resistance: 65mΩ Reverse recovery time: 250ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK73N30 | IXYS | MOSFETs 300V 73A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK73N30 | TO-264 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK73N30 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK73N30 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK73N30 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK73N30 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK73N30 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK73N30Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK73N30Q | IXYS | MOSFETs 73 Amps 300V 0.042 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK74N50P2 | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 500V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK74N50P2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 74A TO264AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK78N50P3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 1.13kW Gate charge: 147nC Polarisation: unipolar Drain current: 78A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK78N50P3 | IXYS | MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK78N50P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK78N50P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V | на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK78N50P3 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 78 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.13 Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Polar3 HiPerFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N15Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 80A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N15Q | TO-264AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK80N15Q | IXYS | MOSFETs 80 Amps 150V 0.0225 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N20 | IXYS | MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N20 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N20Q | IXYS | MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N20Q | TO-264AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK80N20Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N50P | N-CH 500V 80A 0.065 mOm 200 nsec 1040 W TO-264 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK80N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK80N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N50P Код товару: 35720
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK80N50P | IXYS | MOSFETs 500V 80A | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N50P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Kind of package: tube Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Gate charge: 197nC On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK80N50P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N50Q3 | IXYS | MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N50Q3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK80N60P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N60P3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 80A Power dissipation: 1.3kW Case: TO264 On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK80N60P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK80N60P3 | IXYS | MOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N65X2 | IXYS | MOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK80N65X2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO264P On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK88N20Q | IXYS | MOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK88N20Q | TO-264AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK88N20Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK88N30P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK88N30P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK88N30P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK88N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-264, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 Dauer-Drainstrom Id: 88 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 600 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 600 Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK88N30P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 180nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 88A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 600W Kind of channel: enhancement | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK88N30P | IXYS | MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK88N30P Код товару: 106275
Додати до обраних
Обраний товар
| IXYS | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20 | IXYS | MOSFET 200V 90A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20Q | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20Q | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK90N20Q | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20Q | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20Q | TO-264AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK90N20Q | IXYS | MOSFETs 200V 90A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N20Q | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK90N30 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFK90N30 | IXYS | MOSFETs 90 Amps 300V 0.033 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N30 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 90A TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N60X | IXYS | MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N60X | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 90A TO264 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK90N65X3 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET 90A 650V X3 TO264K Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK90N65X3 | IXYS | MOSFETs TO264 650V 90A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK94N50P2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 94A; 1300W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 94A Power dissipation: 1.3kW Case: TO264 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK94N50P2 | IXYS | MOSFETs PolarP2 Power MOSFET | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK94N50P2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK94N50P2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFK94N50P2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK98N50P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 98A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK98N50P3 Код товару: 156281
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK98N50P3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 98A Power dissipation: 1.3kW Case: TO264 On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK98N50P3 | IXYS | MOSFETs 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK98N50P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK98N50P3 | MOSFET N-CH 500V 98A TO264 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXFK98N60X3 | IXYS | MOSFETs TO264 600V 98A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXFK98N60X3 | Littelfuse Inc. | Description: DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO26 Packaging: Tube | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXFL100N50P | IXYS | MOSFETs tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

